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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
3管動態RAM的工作原理3管動態RAM的基本存儲電路。在這個電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數據線和寫數據線也是分開的。
寫操作時，寫選擇線為“1”，所以Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，并通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時，Q3處于可導通的狀態。若原來存有“1”，則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電，此時讀得的信息為“0”，正好和原存信息相反；若原存信息為“0”，則Q3盡管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為“1”?？梢?，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反，所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據總線。
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
3管動態RAM的工作原理3管動態RAM的基本存儲電路。在這個電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數據線和寫數據線也是分開的。
寫操作時，寫選擇線為“1”，所以Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，并通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時，Q3處于可導通的狀態。若原來存有“1”，則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電，此時讀得的信息為“0”，正好和原存信息相反；若原存信息為“0”，則Q3盡管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為“1”?？梢?，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反，所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據總線。
三星/SK海力士DRAM大幅擴產，恢復至削減前水平，存儲新周期開啟
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據市場調研機構Omdia的研究報告，隨著全球需求復蘇，韓國內存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓...
在半導體記憶體中，例如一個1G的DRAM，代表一個半導體晶片上擁有10億個能夠記憶1 bit的資訊單位。
DDR內存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數據，從而實現雙倍數據率。這意味著在每個時鐘周期內，DDR內存能夠傳輸兩次數據，提高了數據傳輸效率。
DRAM 技術的進步伴隨著多核處理器、新操作系統的出現，以及對許多不同計算平臺和應用程序（例如服務器、工作站、大容量存儲系統、超級計算機、PC 和外圍設...
目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行3D DRAM的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。
存內計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新，讓存儲器本身就具有計算能力。
隨著AI設計對內部存儲器訪問的要求越來越高，SRAM在工藝節點遷移中進一步增加功耗已成為一個的問題。
PHY 是一種物理網絡傳輸設備，它將交換芯片、網絡接口或計算引擎上或內部的任何數量的其他類型的接口鏈接到物理介質（銅線、光纖、無線電信號），而物理介質又...
DRAM是最常用的存儲器之一，速度非?？?，但具有易失性特性，當電源關閉時，數據會消失。NAND閃存是一種存儲設備，讀/寫速度相對較慢，但它具有非易失性特...
首先來看DRAM內存，TrendForce原本預測2024年第二季度的合約價會上漲3~8%，現在已調整為13~18%。至于NAND閃存，原預測漲幅為13...
HBM供應商議價提前，2025年HBM產能產值或超DRAM 3分
至于為何供應商提前議價，吳雅婷解釋道，首先，HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀；其次，HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%，買家期望獲得品...
一次偶然的機會，登納德靈光一閃，想到利用單個晶體管中的電容正負極來記錄數據，并通過反復充電實現數據動態刷新。這一創新理念奠定了 DRAM 內存的基礎。
SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基...
該報告顯示，2023 年 HBM 在市場中的占比僅為 2%，但預計今年將增至 5%，明年則有望突破 10%；而在市場份額上，從去年的 8%上升至今年的 ...
SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲，以及對今年內存芯片需求大...
展望未來，臺積電正通過多個方向推動半導體行業持續發展：包括硅光子學的研發、與DRAM廠商在HBM領域的深度合作以及探索將3D堆疊技術應用于晶體管層級的C...
據了解，由于龍仁芯片集群的投產延遲，預計今年內存市場需求將顯著上升。一位不愿具名的半導體高管表示，“我們得知，SK海力士不僅愿意在韓國設立新廠，同時也在...
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