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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128字節SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM的優點是較高的性能、功耗低，缺點是集成度低。
一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128字節SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。
隨著AI設計對內部存儲器訪問的要求越來越高，SRAM在工藝節點遷移中進一步增加功耗已成為一個的問題。
這要求在更接近數據源的地方大幅提高性能，但仍然只能使用非常少的功耗，并且價格便宜。雖然訓練將繼續在云中進行，但長距離移動大量數據的成本很高，所以邊緣AI...
機器學習（ML）應用已經在汽車、醫療保健、金融和技術等各個領域變得無處不在。這導致對高性能、高能效 ML 硬件解決方案的需求不斷增加。
最快的存儲器類型是SRAM，但每個SRAM單元需要六個晶體管，因此SRAM在SoC內部很少使用，因為它會消耗大量的空間和功率。
神經網絡能加速的有很多，當然使用硬件加速是最可觀的了，而目前除了專用的NPU（神經網絡加速單元），就屬于GPU對神經網絡加速效果最好了
更多帶寬 – 隨著需要移動大量數據，我們目睹了所有 DRAM 類型繼續競相提高數據速率以提供更多內存帶寬。
英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數服務器CPU
在封裝方面，英特爾表示，對于Clearwater Forest，將使用其他工藝節點來實現SRAM和I/O，因為這些節點在較新的工藝上無法很好地擴展。
SRAM工藝的處理器是通過CMOS內部管道切換的方式工作，其產品處理速度較高，被眾多用戶接受。但是，CMOS工藝有一個致命缺陷，由于工藝原因，伴隨CMO...
如下圖所示，GD32F4系列內部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從...
回顧計算行業幾十年的歷史，芯片算力提升在幾年前，還在遵循摩爾定律?？呻S著如今摩爾定律顯著放緩，算力發展已經陷入瓶頸。而且禍不單行，陷入同樣困境的還有存儲...
ROM、RAM、DRAM和SRAM都是計算機存儲技術的術語，它們代表了不同類型的存儲器，各自有不同的特性和用途
在硬件規格方面，中國版Gaudi 3與原版保持一致，同樣具備96MB SRAM片上存儲、128GB HBM2e高帶寬存儲，帶寬高達3.7TB/s，并配備...
Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM產品線
為滿足客戶對更大更快的SRAM的普遍需求，MicrochipTechnology（微芯科技公司）擴展了旗下串行SRAM產品線，容量最高可達4Mb，并將串...
近日，靈動微電子受邀參加了由Aspencore主辦的2024國際集成電路展覽會暨研討會（IIC），靈動再度榮膺中國IC設計成就獎。
Microchip Technology擴展了旗下串行SRAM產品線，容量最高可達4Mb
為滿足客戶對更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）擴展了旗下串行SRAM產品線，容量最高可達4 Mb...
Cerebras推WSE-3芯片，性能翻倍，助力超大規模AI模型訓練
首先，WSE-3采用臺積電最新的5nm工藝制作（目前領先業界）。其次，該芯片擁有超過4萬億個晶體管以及90萬個AI核心，配合44GB片上SRAM高速緩存...
兆易創新推出GD32F5系列Cortex?-M33內核MCU
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice 今日宣布，正式推出基于Arm? Cortex?-M33內核的GD32F5系列高性能微控制器，全面...
Arm Helium技術誕生的由來 為何不直接采用Neon？
經過 Arm 研究團隊多年的不懈努力，Arm 于 2019 年推出了適用于 Armv8?M 架構的 Arm Cortex-M 矢量擴展技術 (MVE)—...
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