基于FPGA的內存128M flash芯片控制器設計方案
這款flash芯片的的存儲是一個扇區4KB，一個扇區可以存256個字，一個字是8位，一個塊是64KB，一共有256個塊組成一個存儲flash內存。...
2024-04-19 109
三星/SK海力士DRAM大幅擴產，恢復至削減前水平，存儲新周期開啟
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據市場調研機構Omdia的研究報告，隨著全球需求復蘇，韓國內存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓投入，有效結束減產。 ? Omdia在報告中...
2024-04-12 1881
存儲芯片大反彈，三星一季度利潤暴漲近10倍
電子發燒友網報道（文/黃山明）近日，三星電子公布了其2024年第一季度的財報預估數據，顯示利潤有大幅增長，漲幅近10倍。巨大漲幅的原因主要在于半導體價格，尤其是存儲芯片價格的大反...
2024-04-08 2954
押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總
電子發燒友原創 章鷹 ? 4月1日，韓國股市開盤后，存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%，市值已超過 1,000 億美元，受益于投資者持續買入AI相關股票，由于市場對于SK海力士高帶寬內存（HBM）的需...
2024-04-06 3457
企業存儲設備資源劃分之存儲基礎實驗探究
1.web訪問存儲管理頁面 2.創建硬盤域 根據業務需求調整硬盤域 3.在硬盤域之上創建存儲池，分別創建一個文件及存儲StoragePool002和塊級存儲StoragePool001...
2024-04-19 24
康盈半導體：嵌入式存儲進階，加速AI落地智能穿戴
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）近日，TechInsights可穿戴設備研究服務指出，預計2024年，全球智能手表的銷量將達到9100萬臺，同比增長5%；2025年增長率將進一步上升至近8%，到2026年將保持在7%以...
2024-04-18 424
3D DRAM進入量產倒計時，3D DRAM開發路線圖
目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行3D DRAM的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。...
2024-04-17 86
存儲技術革新之戰 閃存與內存巨頭競相突破
三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別，并計劃在今年內啟動1c nm DRAM的量產工作。...
2024-04-16 304
消息稱三星Q2供應超微HBM3E 下半年啟動大規模量產
HBM，即高帶寬內存，以其獨特的“樓房設計”概念，打破了傳統DDR內存的設計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認可。...
2024-04-15 523
三星電子即將開啟290層V9 NAND芯片量產
市場研究機構Omdia的最新預測顯示，盡管NAND閃存市場在2023年經歷了下滑，但預計今年將迎來強勁反彈，增長率高達38.1%。...
2024-04-12 447
西部數據硬盤全線提價，AI需求激增與供應鏈緊張成漲價雙引擎
西部數據高級副總裁Scott Davis在函件中明確指出，由于市場對HDD機械硬盤和SSD固態硬盤的需求遠超預期，導致產品供應出現嚴重短缺。...
2024-04-11 345
三星與SK海力士加速移動內存堆疊技術量產
隨著人工智能在智能手機、筆記本等移動設備上的廣泛應用，端側AI已經成為行業熱議的焦點。為了支持端側運行模型的高效運行，移動DRAM的性能要求也在不斷提升。...
2024-04-10 311
存儲市場再遇供應短缺困境，SSD價格強勢上漲引關注
在消費級SSD市場，價格也呈現上漲趨勢，批發價較前一季度上漲了約10%至12%。盡管面對漲價要求，大多數買家表示接受，但也有人對此提出了警告。...
2024-04-09 388
關于同步FIFO和異步FIFO的基礎知識總結
FIFO是一種先進先出數據緩存器，它與普通存儲器的區別是沒有外部讀寫地址線，使用起來非常簡單，缺點是只能順序讀寫，而不能隨機讀寫。...
2024-04-09 468
如何打造超越英偉達性能的GPU
PHY 是一種物理網絡傳輸設備，它將交換芯片、網絡接口或計算引擎上或內部的任何數量的其他類型的接口鏈接到物理介質（銅線、光纖、無線電信號），而物理介質又連接它們相互之間或網絡...
2024-04-08 417
如何打破內存限制融合HBM與DDR5創新
正如我們在最初涉足Celestial的產品戰略時所討論的那樣，該公司的零件分為三大類：小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺積電CoWoS的光學旋轉，稱為OMIB。...
2024-04-08 91
韓國研究團隊開發新型超低功耗存儲設備
DRAM是最常用的存儲器之一，速度非?？?，但具有易失性特性，當電源關閉時，數據會消失。NAND閃存是一種存儲設備，讀/寫速度相對較慢，但它具有非易失性特性，即使在電源被切斷時也能保存...
2024-04-08 57
英韌科技：無AI不存儲，國產PCIe 5.0主控率先發力
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）在最近舉行的2024中國閃存市場峰會期間，英韌科技重磅發布消費級PCIe 5.0主控方案YRS820，這是其第九款量產主控。而在去年底，英韌宣布量產企業級PCIe 5.0主控。...
2024-04-07 639
耐寬溫、高可靠、高性價比，佰維存儲TGP200系列工規級SSD賦能工業應用
工業設備通常在高低溫、異常斷電、震動、沖擊、臟污等環境下運行，存儲器作為設備的數據中樞，要求支持寬溫工作、高度抗振抗沖擊、掉電保護以及強電磁兼容性等，以確保嚴苛環境下數據...
2024-04-03 238
如何利用憶阻器技術改變高精度的科學計算
當組織成縱橫陣列時，這種憶阻電路通過以大規模并行方式使用物理定律進行模擬計算，從而大大加速矩陣運算，這是神經網絡中最常用但非常耗電的計算。...
2024-04-03 105
長江存儲QLC閃存壽命實現重大突破
根據官方介紹，長江存儲X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50％，同時讀取、寫入速度都有著接近100％的提升。...
2024-04-03 156
一文解析NAND的閃存接口ONFI
ONFI 由100多家制造、設計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費電子產品、計算平臺以及其他需要大容量固態存儲...
2024-04-03 368
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