現代DRAM內存發明人羅伯特·登納德離世

據美國媒體報道，現代 DRAM 內存發明人羅伯特·登納德已于 2024 年 4 月 23 日去世，享年 91 歲。

登納德生于 1932 年 9 月 5 日，成長于美國得克薩斯州特雷爾。他于 1958 年獲卡內基理工學院電氣工程博士學位，隨后加入 IBM 任研究員。

在 1960 年代，計算機對內存的需求不斷增長，而當時主流的磁芯內存因密度、成本、性能等因素面臨瓶頸。

登納德當時在 IBM 研發金屬氧化物半導體（MOS）內存，然而該方案存在速度緩慢、芯片面積過大等問題。

一次偶然的機會，登納德靈光一閃，想到利用單個晶體管中的電容正負極來記錄數據，并通過反復充電實現數據動態刷新。這一創新理念奠定了 DRAM 內存的基礎。

IBM 和登納德于 1968 年取得 DRAM 專利，這項技術于 1970 年投產后，憑借低成本、低功耗、結構簡單等優點迅速取代磁芯內存，推動了信息通信技術的飛速發展。

DRAM 內存與首批低成本微處理器共同推動了計算機小型化進程，使得如 Apple II 這樣的早期個人電腦在商業上取得巨大成功，也為如今的移動設備市場開辟了道路。

此外，登納德還提出了著名的登納德縮放定律，即隨著制程工藝的提高，半導體芯片的功耗密度保持不變。這一定律在半導體行業影響深遠，被譽為半導體行業的三大定律之一。