模擬技術
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運算放大器采樣保持電路的工作原理
采樣和保持電路是一種電子電路，它創建作為輸入的電壓樣本，然后將這些樣本保持一定的時間。采樣保持電路對輸入信號產生采樣的時間稱為采樣時間。...
2024-04-12 306
如何使用兩個單向電流檢測放大器？怎樣使用最高效？
越來越多的應用需要快速準確地進行電流監控，包括自動駕駛汽車、工廠自動化和機器人技術、通信、服務器電源管理、D 類音頻放大器和醫療系統。...
2024-04-11 547
知識科普：一文看懂有源晶振和無源晶振的區別
有源晶振因其優異的特性，廣泛應用于衛星通信、航空航天、精密計測儀器等高科技行業。例如，手機導航模塊一般采用有源晶振，因為GPS模塊每時每刻與衛星交互產能大量熱量，而溫補晶振可...
2024-04-09 504
RX23E-A 24bit ΔΣADC基礎篇(2)用于傳感器測量的Δ∑ADC的特性
世界上有各種各樣的傳感器，除了ΔΣADC之外，還需要各種電路來測量這些傳感器。當處理微小信號時，您可能需要在執行AD轉換之前放大信號。...
2024-04-10 614
MOS管柵極前加100Ω電阻的作用是什么
功率MOS管的驅動電路中會分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路：對開關驅動信號中的高頻諧波分量產生諧振，進而引起功率管輸出電壓的波動。...
2024-04-16 15
碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料，具有比傳統硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩定性和效率。...
2024-04-16 17
碳化硅在新型電力體系中的應用
目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開關。如IGCT其耐壓可達6.5kV，通斷電流可達4000A。但在輸電系統中，其電壓電流等級仍然偏小，需要依靠多電平拓撲或器件串聯，來提高耐壓能力...
2024-04-16 12
深度解析TVS關鍵參數及選型技巧
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導體工藝制成的單個 PN 結或多個 PN 結集成的器件。...
2024-04-16 31
晶振工作原理及匹配電容選取方法
我們知道可以通過調節負載電容CL來微調振蕩器的頻率，這就是為什么晶振制造 商在其產品說明書中會指定外部負載電容CL值的原因。通過指定外部負載電容CL值，可以使晶 振晶體振蕩時達到其...
2024-04-15 39
碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案
隨著全球對更高效、更可持續能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領域的一個重要進展。...
2024-04-15 188
MOS管為什么會冒煙燒毀？MOS燒管的案例2分享
當VGS小于一定的電壓值，DS極就會導通，適合用于S極接正電源的情況（高端驅動）。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于其導通電阻大、價格貴、替換種類少等原因，在大部分應用中通...
2024-04-12 311
合科泰生產的高壓MOS產品有哪些？
MOS管根據其耐壓值可分為中低壓MOS和高壓MOS管，高壓MOS也是基于場效應管的原理工作，通過控制柵極電壓來調節源極和漏極之間的電流。與普通MOS管相比，高壓MOS管能承受更高的電壓和電流。...
2024-04-12 234
探討氮化鎵在汽車動力系統和激光雷達的應用
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導體材料，因其優異的電子特性和潛在的系統成本優勢，在汽車和移動手機市場中展現出巨大的商業潛力。...
2024-04-12 170
合科泰半導體推出一款N溝道MOS管HKTQ80N03
MOS管有N溝道MOS和 P溝道MOS等，N溝道MOS是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極D和源極S。...
2024-04-12 229
ADI二極管鉗位電路設計應用
在此電路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速鉗位一些瞬態的電壓到30V，同時它的漏電流也非常非常?。?5℃的時候典型漏電流為1nA），這個管子也很推薦大家使用，漏電流很小。...
2024-04-12 146
緩沖放大器的幾種類型介紹
電壓緩沖放大器的作用是將電壓從具有高輸出阻抗的電路傳輸到具有低輸入阻抗的另一個電路。通過在這兩個電路之間插入緩沖器，可以防止第二個電路過度加載第一個電路，這可能會干擾其預...
2024-04-12 116
深入探討碳化硅功率器件優勢、應用
碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更優越的物理和化學特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導率、更高的工作溫度和更快的開關速度。...
2024-04-12 42
RECOM憑借新推出的RxxC1TF 1 W DC/DC轉換器再次引領市場
這款完全穩壓型轉換器采用超緊湊 12 焊盤 LGA 封裝，尺寸僅為 5 x 4 x 1.18 mm，提供 2.5 kVAC/1 min 的隔離電壓，以及 3.3 V 或 5 V 可選輸出電壓。...
2024-04-11 228
MOS管柵極前加100Ω電阻原理分析
在MOSFET的柵極前增加一個電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。...
2024-04-11 102
三安光電碳化硅業務迎來高成長契機
碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產品向下滲透?！艾F在售價為20萬元以上的800V電動汽車，碳化硅功率器件滲透率約為一半，可以全驅配置，或只配置主驅。...
2024-04-11 144
小米SU7碳化硅應用情況如何？
小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅供應商為聯合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據調研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產品。...
2024-04-11 220
全國最大8英寸碳化硅襯底生產基地落地山東？
作為技術應用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴大，能顯著提升續航能力與充電效率，并降低整車成本。...
2024-04-11 103
基本半導體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊
BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊，...
2024-04-11 350
鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術平臺
珠海鎵未來科技有限公司是行業領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業，致力于第三代半導體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發與產業化。...
2024-04-10 409
光電三極管的特性及結構示意圖
光電三極管是一種半導體器件，能夠感應光水平并根據其接收的光水平來改變在發射極和集電極之間流動的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應光并改變晶體管端子之間的電流...
2024-04-10 287
關于光電三極管的簡單介紹
光電三極管有塑封、金屬封裝、陶瓷、樹脂等多種封裝結構，引腳分為兩腳型和三腳型。一般兩個管腳的光電三極管，管腳分別為集電極和發射極，光窗口則為基極。...
2024-04-10 287
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