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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可制得GaN。
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優勢也推動...
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CGHV40200PP氮化鎵高電子遷移率晶體管規格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2023-08-03 標簽：晶體管氮化鎵
類別：IC datasheet pdf 2023-08-03 標簽：射頻晶體管氮化鎵
類別：IC datasheet pdf 2023-07-28 標簽：晶體管氮化鎵
據證監會網站消息，證監會收到深交所報送的關于深圳市綠聯科技股份有限公司（以下簡稱綠聯科技）首次公開發行股票并在創業板上市的審核意見及公司注冊申請文件。
納微氮化鎵技術助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵
納微氮化鎵技術助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵，不僅有效確保糧食安全，同時讓印度農民無需再使用遠距離電纜或昂貴且有污染的柴油發電機。
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量子光源芯片作為量子互聯網的“心臟”，在量子通信中扮演著至關重要的角色。而電子科技大學團隊此次研發的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。
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3月24日，SEMICON China 2024展會在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導體產業國際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發總監邱...
士蘭微電子推出小體積、低成本的兩級無頻閃隔離LED照明驅動方案
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