5月6日,據韓國媒體The Elec與首爾經濟新聞報道,SK海力士在“AI時代,SK海力士藍圖和戰略”發布會上透露,其HBM4內存的量產日期已經提前至2025年。
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議,原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
HBM4的提前量產反映了AI領域對于高性能內存的強烈需求,隨著AI處理器性能的提升,對內存帶寬的要求也越來越高。
The Elec預測,SK海力士將在HBM4內存中采用1cnm制程的DRAM芯片,相較之下,現有的HBM3E產品則是基于1bnm制程;此外,基礎裸片部分可能會采用臺積電7nm系列工藝。
SK海力士還在發布會上提到,基于MR-MUF鍵合技術的12層堆疊HBM3E內存將于本月開始樣品生產,并于第三季度實現量產,而未來的16層堆疊產品也將采用MR-RUF鍵合技術。
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