模擬技術
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常見的電平轉換方法
當 3.3V 器件輸出高電平信號，由于上拉 5V 作用，信號輸入器件被上拉為 5V 電平。 當 3.3V 器件輸出低電平信號，使 OUTPUT 信號被拉低，從而信號輸入器件信號被拉低。...
2024-04-22 347
關于MOS管電路工作原理的講解
MOS管的話題雖說是老生常談，但這份資料幾年前就有人給我分享過，這是網上評價非常高的一篇關于MOS管電路工作原理的講解，從管腳的識別，到極性的分辨，再到常用功能，應用電路等等...
2024-04-22 94
電阻、電感及電容元件在交流電路中的特性分析
在電阻元件的交流電路中，電流和電壓是同相的。 在電阻元件電路中，電壓的幅值（或有效值）與電流的幅值（或有效值）之比值，就是電阻R。...
2024-04-27 99
NTC熱敏電阻詳細應用解析
溫度相同區間不同的B值，說明材料可能不一樣，因為NTC熱敏電阻是負溫度系數溫度升高阻值成規律下降，B值代表曲線的彎曲程度或者說溫度的敏感指數，單位溫度變化的這時阻力值設施程度就...
2024-04-27 77
什么是差分信號 差分信號與單端信號的區別
由于差分信號的開關變化是位于兩個信號的交點，而不像普通單端信號依靠高低兩個閾值電壓判斷，因而受工藝，溫度的影響小，能降低時序上的誤差，同時也更適合于低幅度信號的電路。...
2024-04-27 548
信號處理常用算法簡介
變分模態分解（Variational Mode Decomposition，縮寫VMD）：模態分解認為信號是由不同“模態”的子信號疊加而成的，而變分模態分解則認為信號是由不同頻率占優的子信號疊加而成的，其目的是要把...
2024-04-27 714
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V Generation 2 技術在確保質量和可靠性的前...
2024-04-20 484
揭秘電動汽車IGBT芯片鍵合線
在電控模塊中，IGBT模塊是逆變器的最核心部件，總結其工作原理：通過非通即斷的半導體特性，不考慮過渡過程和寄生效應，我們將單個IGBT芯片看做一個理想的開關。...
2024-04-27 99
全球首款氮化鎵量子光源芯片誕生
量子光源芯片作為量子互聯網的“心臟”，在量子通信中扮演著至關重要的角色。而電子科技大學團隊此次研發的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。...
2024-04-19 770
為什么在PCB中使用電阻器？
電阻器是印刷電路板 (PCB) 中使用的最基本元件之一。它們是阻止電路中電流流動的無源器件。PCB 電阻器可以控制、劃分、穩定、連接電路等。...
2024-04-19 168
RECOM面向12VDC電源軌推出新一代芯片封裝的降壓式開關穩壓器
RECOM 在現有 RPM-xx-1.0/2.0/3.0/6.0 系列的基礎上，憑借尖端電路設計和封裝技術方面的專業知識，面向 12VDC 電源軌推出新一代芯片封裝的降壓式開關穩壓器，進一步縮小尺寸并增加輸出電流，實現...
2024-04-19 279
圣邦微電子推出一款20V輸出電壓同步升壓轉換器SGM6604
圣邦微電子推出 SGM6604，一款 20V 輸出電壓同步升壓轉換器。該器件可應用于 PMOLED 電源、可穿戴設備、便攜式醫療設備及傳感器電源。...
2024-04-19 411
半波整流器和全波整流器的定義和區別
半波整流電路由單個二極管和降壓變壓器組成，在降壓變壓器的幫助下將高壓交流電轉換為低壓交流電。此后，連接在電路中的二極管將在交流周期的正半部分中正向偏置，并在負半部分中反向...
2024-04-18 144
IGBT器件失效模式的影響分析
功率循環加速老化試驗中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個影響因素，如封裝材料、器件結構以及試驗條 件等。...
2024-04-18 137
SiC器件的工作原理與主要優勢！
在追求能源效率和對高性能電力電子系統的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩定性，正在變革傳統功率電子技術。...
2024-04-18 381
SiC器件工作原理與優勢
碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具備高電子遷移率、高熱導率以及高擊穿電場強度等特點。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩定工作，同時比傳統硅基器件體積更小，...
2024-04-18 154
納芯微發布首款車規級1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產品，在碳化硅芯片生產過程中施行嚴格的質量控制，所有碳化硅產品做到 100% 靜態電參數測試，100%抗雪崩能力測試。...
2024-04-18 118
一、二、三代半導體的區別
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優勢被放大。...
2024-04-18 204
頗有前景的半導體替代材料：SiC和GaN適用范圍及優缺點介紹
自1954年以來，硅一直是先進技術發展的重要基石。人們普遍認為，硅作為電子元件基礎結構核心材料的地位不可動搖。...
2024-04-17 416
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。...
2024-04-17 315
一個模電電路圖分享
有兩個晶體管(transistor)，一個NPN和一個PNP，連接方式下圖所示。假設此晶體管是硅(Si)，并顯示0.6伏特(V)基極至發射極電壓，且兩個晶體管的?值非常高，使得基極電流幾乎為零。求電壓V？？...
2024-04-17 154
SiC MOSFET短路失效的兩種典型現象
短路引起的 SiC MOSFET 電學參數的退化受到了電、熱、機械等多種應力的作用，其退化機理需要從外延結構、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。...
2024-04-17 226
電阻的基本原理 電阻的工藝種類介紹
繞線電阻是將鎳鉻合金導線繞在氧化鋁陶瓷基底上，一圈一圈控制電阻大小。 繞線電阻可以制作為精密電阻，容差可以到0.005%，同時溫度系數非常低，缺點是繞線電阻的寄生電感比較大，不能...
2024-04-17 132
圣邦微電子Σ-Δ模數轉換器（ADC）技術一覽
Σ-Δ 模數轉換器（ADC）的文獻最早出現于 1962 年，早期的原理討論淹沒在了深化研究之下，本文試圖鉤沉這些早期原理討論，為理解 Σ-Δ 型 ADC 做入門鋪墊。...
2024-04-17 676
電阻不同顏色的色環代表什么意思
電阻器顏色代碼是一種標準化系統，用于表示電阻器的電阻值、容差，有時甚至表示電阻器的溫度系數。它們由涂在電阻器主體上的彩色帶組成，每個彩色帶代表電阻器值中的特定數字或乘數。...
2024-04-17 230
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