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標簽 > 閾值電壓
閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發射的特性時,電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
電介質在決定閾值電壓方面也起了重要作用。厚電介質由于比較厚而削弱了電場。所以厚電介質使閾值電壓上升,而薄電介質使閾值電壓下降。理論上,電介質成分也會影響電場強度。而實際上,幾乎所有的MOS管都用純二氧化硅作為gate dielectric。這種物質可以以極純的純度和均勻性生長成非常薄的薄膜;其他物質跟它都不能相提并論。因此其他電介質物質只有很少的應用。(也有用高介電常數的物質比如氮化硅作為gate dielectric的器件。有些作者把所有的MOS類晶體管,包括非氧化物電介質,稱為insulated-gate field effect transistor(IGFET))。
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