IGBT/功率器件
電子發燒友網IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業新聞、產品信息及技術熱點方案及介紹。
功率系統中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數自動測試與計算新方案
柵極參數設計是通過理論計算或建模仿真，模擬器件的開關狀態，掌握其動態特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計算。...
2024-04-29 48
深入解析三極管工作原理
統講法一般分三步，以NPN型為例(以下所有討論皆以NPN型硅管為例)，如示意圖A。1.發射區向基區注入電子;2.電子在基區的擴散與復合;3.集電區收集由基區擴散過來的電子?！?注1)...
2024-04-29 30
比亞迪e5高壓電控總成內IGBT模塊技術分析
用9 V電池作為電源接至G11觸發上橋臂中的1號IGBT，用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的導通性，顯示導通，壓降為0.379 V。...
2024-04-28 93
Tanner L-Edit在功率器件設計中的應用有哪些呢？
像GaN、SiC,、第三代半導體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導體分立器件，常用在電子電力系統中進行變壓、變頻、變流及功率管理等。...
2024-04-28 168
探究內阻較小的MOS管發熱之謎
這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結耗盡區延展，當耗盡區碰到Source的時候，那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路，所以叫做穿通（punch through）。...
2024-04-28 46
MOSFET在開關電源中的作用
MOSFET作為開關元件，在開關電源中需要頻繁地切換兩種狀態：導通和截止，以控制電流的通斷。這種切換過程對于電源的穩定輸出至關重要。...
2024-04-25 346
如何選擇開關電源的MOSFET
DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。...
2024-04-25 311
高效大電流穩壓器電路設計方案
LT1083穩壓器（參見圖1中的符號和引腳排列）允許調整正電壓，并能高效地提供高達7.5 A的電流。內部電路設計用于輸入和輸出之間以高達1 V的壓差工作。...
2024-04-25 74
常用的MOS做電源開關的電路分享
由于NMOS和PMOS在原理和生產工藝上存在差異，導致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導通內阻這些參數上均優于PMOS，所以設計中盡量優先選擇NMOS。...
2024-04-25 193
比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測指南
.通電導通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發上橋臂中的1號IGBT，用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的導通性，顯示導通，壓降為0.379 V。...
2024-04-23 81
恒流電路設計三種常用方案解析
運放的恒流電路，主要是利用運放的“電壓跟隨特性”，即運放的兩個輸入引腳Pin3與Pin2電壓相等電路特性；當在電阻R4輸入Vin穩定電源電壓時，電阻R7兩端的電壓也為Vin不變，因此無論外界電路...
2024-04-23 113
信號線上串聯小電阻的作用與意義
為了保護接口，抵抗小能量電壓脈沖，防止信號脈沖損壞接口的。 舉個簡單的例子： 一個串口通訊的提示信號，當接上串口時，因為瞬間的插拔產生了一個很窄的電壓脈沖...
2024-04-23 74
MOSFET柵極驅動電路設計方案
必須在基極和發射極之間施加電流，以在集電極中產生電流。圖1.2示出了MOSFET，當在柵極和源極端子之間施加電壓時在漏極中產生電流。...
2024-04-22 294
簡要探討石英晶體與振蕩
石英晶體振蕩器中使用的石英晶體是一塊非常小的、薄的石英切割片或晶片，其兩個平行表面被金屬化以進行所需的電連接。一塊石英晶體的物理尺寸和厚度受到嚴格控制，因為它會影響振蕩的...
2024-04-22 60
二極管保護電路的工作原理
二極管是一種允許電流流經一個方向但不允許另一方向流過的器件，因此，它可以用于電路中，僅允許電流僅在正向流動，而在反向流動中阻止電流。當電路中的組件可能會因反向（錯誤）方向...
2024-04-22 82
常見的電平轉換方法
當 3.3V 器件輸出高電平信號，由于上拉 5V 作用，信號輸入器件被上拉為 5V 電平。 當 3.3V 器件輸出低電平信號，使 OUTPUT 信號被拉低，從而信號輸入器件信號被拉低。...
2024-04-22 84
關于MOS管電路工作原理的講解
MOS管的話題雖說是老生常談，但這份資料幾年前就有人給我分享過，這是網上評價非常高的一篇關于MOS管電路工作原理的講解，從管腳的識別，到極性的分辨，再到常用功能，應用電路等等...
2024-04-22 59
電阻、電感及電容元件在交流電路中的特性分析
在電阻元件的交流電路中，電流和電壓是同相的。 在電阻元件電路中，電壓的幅值（或有效值）與電流的幅值（或有效值）之比值，就是電阻R。...
2024-04-27 47
NTC熱敏電阻詳細應用解析
溫度相同區間不同的B值，說明材料可能不一樣，因為NTC熱敏電阻是負溫度系數溫度升高阻值成規律下降，B值代表曲線的彎曲程度或者說溫度的敏感指數，單位溫度變化的這時阻力值設施程度就...
2024-04-27 27
揭秘電動汽車IGBT芯片鍵合線
在電控模塊中，IGBT模塊是逆變器的最核心部件，總結其工作原理：通過非通即斷的半導體特性，不考慮過渡過程和寄生效應，我們將單個IGBT芯片看做一個理想的開關。...
2024-04-27 34
全球首款氮化鎵量子光源芯片誕生
量子光源芯片作為量子互聯網的“心臟”，在量子通信中扮演著至關重要的角色。而電子科技大學團隊此次研發的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。...
2024-04-19 696
為什么在PCB中使用電阻器？
電阻器是印刷電路板 (PCB) 中使用的最基本元件之一。它們是阻止電路中電流流動的無源器件。PCB 電阻器可以控制、劃分、穩定、連接電路等。...
2024-04-19 102
半波整流器和全波整流器的定義和區別
半波整流電路由單個二極管和降壓變壓器組成，在降壓變壓器的幫助下將高壓交流電轉換為低壓交流電。此后，連接在電路中的二極管將在交流周期的正半部分中正向偏置，并在負半部分中反向...
2024-04-18 99
IGBT器件失效模式的影響分析
功率循環加速老化試驗中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個影響因素，如封裝材料、器件結構以及試驗條 件等。...
2024-04-18 93
SiC器件工作原理與優勢
碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具備高電子遷移率、高熱導率以及高擊穿電場強度等特點。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩定工作，同時比傳統硅基器件體積更小，...
2024-04-18 105
納芯微發布首款車規級1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產品，在碳化硅芯片生產過程中施行嚴格的質量控制，所有碳化硅產品做到 100% 靜態電參數測試，100%抗雪崩能力測試。...
2024-04-18 91
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