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標簽 > 納微半導體
Navitas 成立于 2014 年,開發的超高效氮化鎵 (GaN)半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續性方面正在徹底改變電力電子領域。
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納微氮化鎵技術助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時讓印度農民無需再使用遠距離電纜
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納微半導體宣布將參加亞洲充電展,最新GaN+SiC技術展望快充未來
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納微氮化鎵和碳化硅技術并進,下一代AI數據中心電源功率突破飛升
納微氮化鎵和碳化硅技術并進,下一代AI數據中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專
2024-03-13 標簽: 納微半導體 132 0
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Navitas 成立于 2014 年,開發的超高效氮化鎵 (GaN)半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續性方面正在徹底改變電力電子領域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源,它不僅體現了我們對開發技術以改善和更可持續的能源使用的關注,還體現了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
GaN 的重要性與日俱增,因為它能夠提供比傳統硅半導體顯著改進的性能,同時減少提供該性能所需的能量和物理空間。GaN 技術將通過提高效率、降低清潔能源的成本以及減少制造功率半導體所需的材料和能源來加速向可持續未來的過渡。
Navitas 是 GaN 的行業領導者,在單個易于使用的集成電路 (IC) 中提供驅動、控制和保護。Navitas GaNFast IC是易于使用的“數字輸入、電源輸出”構建塊,可將開關速度提高 100 倍,同時將節能效果提高 40%。
通過選擇 Navitas GaN,產品開發人員能夠創建比以往更小、更輕、更快、更環保的電源轉換和電源管理解決方案。從智能手機、筆記本電腦和平板電腦的快速充電器到電視、數據中心、電動汽車、電動汽車和可再生能源發電,GaNFast IC 可實現最高能效、最高集成度和最高功率密度。
Navitas 的管理團隊在電力電子領域的創新和業務創造方面有著非凡的記錄。該公司由管理團隊和頂級風險投資家 Atlantic Bridge、Capricorn Investment Group 和 Malibu IQ 資助,他們都在建立對電子行業產生重大影響的業務方面擁有良好的記錄。
納微半導體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實現最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導體材料,正在快速取代傳統硅功率芯片,應用于可再生能源、儲能、 微網、電動汽車和工業應用等高功率、高壓應用領域。
納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應用電路
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禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區,從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。
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納微半導體,作為功率半導體領域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業領頭羊,近日公布了其針對AI人工智能數據中心的最新電源技術路線圖。此舉旨在滿足未...
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2024-03-13 標簽:納微半導體 132 0
納微半導體攜GaNFas和GeneSi技術亮相APEC 2024
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