模擬技術
電子發燒友網為用戶提供了專業的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。RX23E-A 24bit ΔΣADC基礎篇(2)用于傳感器測量的Δ∑ADC的特性
世界上有各種各樣的傳感器,除了ΔΣADC之外,還需要各種電路來測量這些傳感器。當處理微小信號時,您可能需要在執行AD轉換之前放大信號。...
2024-04-10 828
基于JEDEC柵電荷測試方法測量MOSFET的柵電荷
在柵極電荷方法中,將固定測試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對應。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。...
2024-04-10 222
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的...
2024-04-10 1140
碳化硅器件在車載充電機(OBC)中的性能優勢
碳化硅作為第三代半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉化能耗損失降低20%,在OBC產品上使用碳化硅功率器件對于提升...
2024-04-10 157
深入探索芯片內部電路結構
SDA和SCL都是雙向線路,都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當總線空閑時,這兩條線路都是高電平,連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電極開路才能執行線與的功能。...
2024-04-10 79
PIN二極管的結構圖和工作原理分析
PIN二極管的結構由P型半導體、Intrinsic半導體和N型半導體三層組成。Intrinsic半導體層是一層輕摻雜的半導體,因此可忽略自由載流子。...
2024-04-09 912
知識科普:一文看懂有源晶振和無源晶振的區別
有源晶振因其優異的特性,廣泛應用于衛星通信、航空航天、精密計測儀器等高科技行業。例如,手機導航模塊一般采用有源晶振,因為GPS模塊每時每刻與衛星交互產能大量熱量,而溫補晶振可...
2024-04-09 709
IGBT柵極驅動關鍵注意事項
為了快速導通和關斷 BJT,必須在每個方向上硬驅動柵極電流,以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時,會存在一個從雙極型晶體管的基極到其發射極的低阻抗路徑。...
2024-04-09 144
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區別?
三極管的結構是給一塊純硅進行三層摻雜,其中較窄區域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區域普通濃度P型摻雜,含有少數空穴,上邊較寬區域普通濃度N型摻雜,含有正常數量的電...
2024-04-09 1195
如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號鏈設計
一般的共享電源和數據接口經過編碼,可減少信號直流成分,從而在發送交流信號成分時簡化系統設計。但是,許多數字輸出傳感器接口(例如,SPI和I2C)尚未經過編碼,具有可變的信號直流成...
2024-04-09 246
MOS管功能特性與實際應用場景解析
那這兩張圖是完全等價的,我們可以看到MOS管是有三個端口,也就是有三個引腳,分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要,只要記住他們分別簡稱G、D、S就可以。...
2024-04-09 256
如何看懂MOSFET數據表常見的數據
Qrr 甚至可以對測試執行性的二極管正向電流 (If) 具有更強的依賴關系。而進一步使事情復雜化的原因在于,某些廠商未將QOSS 作為一個單獨參數包含在內,而是只將這個參數吸收到Qrr 的技術規...
2024-04-09 153
Σ-Δ模數轉換器(ADC)技術一覽
摘要 Σ-Δ模數轉換器是從脈寬調制器類積分型ADC演變而來的,其模擬部分相對容易實現、數字部分則比較靈活。隨著技術的發展,Σ-ΔADC基本原理已結合不同量化器形成了有意義的變種。本應用...
2024-04-09 382
深入解析MOS管的判別與導通條件
使用二級管,導通時會有壓降,會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向導通時,在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導通,這樣通過電流時幾乎不產生壓降。...
2024-04-08 159
RX23E-A中的24位ΔΣADC轉換器和模擬前端介紹
RX23E-A MCU是32位RX MCU,具有內置FPU和高達256KB閃存,配有模擬前端(AFE),有助于測量壓力、流量、溫度和重量,精度小于0.1%。...
2024-04-08 578
基于FPGA的TLC5620數模轉換(DA)設計
本設計采用串行數/模轉換芯片TLC5620,TLC5620是一個擁有四路輸出的數/模轉換器,時鐘頻率最大可達到1MHz。...
2024-04-08 333
探究50V μF級MLCC電容在24V/28V工況下短路的原因
大容值的MLCC電容,耐電壓擊穿電壓波動能力其實是比較弱的,再加之電容生產過程的陶瓷介質片的厚度一致性難控制問題,電壓波動、上電浪涌電壓等場合下,MLCC電容被擊穿也就在所難免了。...
2024-04-08 126
一文詳解IGBT 模塊的熱設計和熱管理
其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點較小,芯片工作中產生的熱量主要通過熱傳導的方式由芯片向基板單向傳遞,在此過程中會遇到一定的阻力,稱為導熱熱阻。...
2024-04-07 722
1500V光伏逆變器中的ANPC技術應用
在標準NPC的基礎上,把鉗位二極管換成主開關管,就形成了ANPC,用于解決NPC損耗分布不均帶來的熱不均 根據不同的發波方式,開關管的電流會有所不同,以下分別討論...
2024-04-07 148
基于TL431芯片搭建的恒流源電路
而根據上式計算結果輸出電流應該是I = 2.495V / 2Ω = 1.2475A。但實際計算結果卻小于該值,這是為什么呢?分析一下可知,流過電阻Rref的電流除了三極管的集電極電流Ic還有基極電流Ib。...
2024-04-07 883
全面的SiC功率器件行業概覽
SiC功率器件市場正處于快速增長階段,特別是在汽車電動化趨勢的推動下,其市場規模預計將持續擴大。 根據Yole Group的報告,汽車行業對SiC功率器件的需求主要來自于電動汽車動力系統的升...
2024-04-07 100
二極管15個關鍵核心要素
在二極管外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服PN結電場時,二極管正向導通,電流隨電壓...
2024-04-07 146
如何快速設計過壓保護電路
TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態電壓抑制器,也被稱為雪崩擊穿二極管,是一種二極管形式的高效能保護器件。...
2024-04-06 180
什么是負反饋?運算放大器負反饋電路分析
正反饋提高了電路的放大能力(可以自己根據運放特性想象一下), 在正反饋中,輸入和輸出信號的相位相似,因此兩個信號相加,適用于振蕩電路中。...
2024-04-06 335
如何給電路選擇最合適的MOS產品?選擇MOS管時需考慮的關鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關、放大、調壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。...
2024-04-02 660
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