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模擬技術

電子發燒友網為用戶提供了專業的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。
碳化硅(SiC)功率器件特性及應用

碳化硅(SiC)功率器件特性及應用

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料,相比于傳統的硅材料,具有更高的熱導率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。...

2024-04-10 標簽:電動汽車功率器件SiC碳化硅牽引逆變器 196

RX23E-A 24bit ΔΣADC基礎篇(2)用于傳感器測量的Δ∑ADC的特性

RX23E-A 24bit ΔΣADC基礎篇(2)用于傳感器測量的Δ∑ADC的特性

世界上有各種各樣的傳感器,除了ΔΣADC之外,還需要各種電路來測量這些傳感器。當處理微小信號時,您可能需要在執行AD轉換之前放大信號。...

2024-04-10 標簽:傳感器緩沖器adc數字濾波器偏置電壓可編程增益放大器adcADC傳感器偏置電壓可編程增益放大器數字濾波器緩沖器 828

基于JEDEC柵電荷測試方法測量MOSFET的柵電荷

基于JEDEC柵電荷測試方法測量MOSFET的柵電荷

在柵極電荷方法中,將固定測試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對應。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。...

2024-04-10 標簽:MOSFET電源管理晶體管MOS柵極電荷 222

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的...

2024-04-10 標簽:MOSFET場效應晶體管SiC碳化硅Qorvo 1140

碳化硅器件在車載充電機(OBC)中的性能優勢

碳化硅器件在車載充電機(OBC)中的性能優勢

碳化硅作為第三代半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉化能耗損失降低20%,在OBC產品上使用碳化硅功率器件對于提升...

2024-04-10 標簽:電動汽車功率器件碳化硅OBC車載充電器 157

深入探索芯片內部電路結構

深入探索芯片內部電路結構

SDA和SCL都是雙向線路,都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當總線空閑時,這兩條線路都是高電平,連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電極開路才能執行線與的功能。...

2024-04-10 標簽:芯片振蕩器場效應管電源電壓MOS 79

PIN二極管的結構圖和工作原理分析

PIN二極管的結構圖和工作原理分析

PIN二極管的結構由P型半導體、Intrinsic半導體和N型半導體三層組成。Intrinsic半導體層是一層輕摻雜的半導體,因此可忽略自由載流子。...

2024-04-09 標簽:功率二極管PIN二極管光電二極管PIN微波開關 912

雪崩光電二極管擊穿原理圖

雪崩光電二極管擊穿原理圖

雪崩光電二極管是利用PN結在高反向電壓下產生的雪崩效應來工作的一種二極管。...

2024-04-09 標簽:數據傳輸雪崩二極管光信號光電二極管 398

知識科普:一文看懂有源晶振和無源晶振的區別

知識科普:一文看懂有源晶振和無源晶振的區別

有源晶振因其優異的特性,廣泛應用于衛星通信、航空航天、精密計測儀器等高科技行業。例如,手機導航模塊一般采用有源晶振,因為GPS模塊每時每刻與衛星交互產能大量熱量,而溫補晶振可...

2024-04-09 標簽:有源晶振無源晶振晶振晶體振蕩器揚興科技 709

IGBT柵極驅動關鍵注意事項

IGBT柵極驅動關鍵注意事項

為了快速導通和關斷 BJT,必須在每個方向上硬驅動柵極電流,以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時,會存在一個從雙極型晶體管的基極到其發射極的低阻抗路徑。...

2024-04-09 標簽:MOSFET晶體管寄生電容柵極電阻柵極驅動 144

碳化硅功率器件的應用優勢

碳化硅功率器件的應用優勢

碳化硅具有比硅更高的熱導率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應用中表現優異。...

2024-04-09 標簽:功率器件SiC碳化硅 110

IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區別?

IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區別?

三極管的結構是給一塊純硅進行三層摻雜,其中較窄區域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區域普通濃度P型摻雜,含有少數空穴,上邊較寬區域普通濃度N型摻雜,含有正常數量的電...

2024-04-09 標簽:三極管MOS管發射機IGBT基極電流 1195

如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號鏈設計

如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號鏈設計

一般的共享電源和數據接口經過編碼,可減少信號直流成分,從而在發送交流信號成分時簡化系統設計。但是,許多數字輸出傳感器接口(例如,SPI和I2C)尚未經過編碼,具有可變的信號直流成...

2024-04-09 標簽:傳感器以太網mems功率器件LTspice 246

MOS管功能特性與實際應用場景解析

MOS管功能特性與實際應用場景解析

那這兩張圖是完全等價的,我們可以看到MOS管是有三個端口,也就是有三個引腳,分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要,只要記住他們分別簡稱G、D、S就可以。...

2024-04-09 標簽:MOS管NMOSPWM場效晶體管 256

如何看懂MOSFET數據表常見的數據

如何看懂MOSFET數據表常見的數據

Qrr 甚至可以對測試執行性的二極管正向電流 (If) 具有更強的依賴關系。而進一步使事情復雜化的原因在于,某些廠商未將QOSS 作為一個單獨參數包含在內,而是只將這個參數吸收到Qrr 的技術規...

2024-04-09 標簽:MOSFET電感器脈沖電流 153

Σ-Δ模數轉換器(ADC)技術一覽

Σ-Δ模數轉換器(ADC)技術一覽

摘要 Σ-Δ模數轉換器是從脈寬調制器類積分型ADC演變而來的,其模擬部分相對容易實現、數字部分則比較靈活。隨著技術的發展,Σ-ΔADC基本原理已結合不同量化器形成了有意義的變種。本應用...

2024-04-09 標簽:模數轉換器 382

深入解析MOS管的判別與導通條件

深入解析MOS管的判別與導通條件

使用二級管,導通時會有壓降,會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向導通時,在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導通,這樣通過電流時幾乎不產生壓降。...

2024-04-08 標簽:二極管MOS管適配器電壓寄生二極管 159

RX23E-A中的24位ΔΣADC轉換器和模擬前端介紹

RX23E-A中的24位ΔΣADC轉換器和模擬前端介紹

RX23E-A MCU是32位RX MCU,具有內置FPU和高達256KB閃存,配有模擬前端(AFE),有助于測量壓力、流量、溫度和重量,精度小于0.1%。...

2024-04-08 標簽:FFT模數轉換器溫度控制器模擬前端ADC轉換器 578

基于FPGA的TLC5620數模轉換(DA)設計

基于FPGA的TLC5620數模轉換(DA)設計

本設計采用串行數/模轉換芯片TLC5620,TLC5620是一個擁有四路輸出的數/模轉換器,時鐘頻率最大可達到1MHz。...

2024-04-08 標簽:FPGA運算放大器數模轉換器數模轉換基準電源 333

探究50V μF級MLCC電容在24V/28V工況下短路的原因

探究50V μF級MLCC電容在24V/28V工況下短路的原因

大容值的MLCC電容,耐電壓擊穿電壓波動能力其實是比較弱的,再加之電容生產過程的陶瓷介質片的厚度一致性難控制問題,電壓波動、上電浪涌電壓等場合下,MLCC電容被擊穿也就在所難免了。...

2024-04-08 標簽:電容MLCC鉭電解電容 126

一文詳解IGBT 模塊的熱設計和熱管理

一文詳解IGBT 模塊的熱設計和熱管理

其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點較小,芯片工作中產生的熱量主要通過熱傳導的方式由芯片向基板單向傳遞,在此過程中會遇到一定的阻力,稱為導熱熱阻。...

2024-04-07 標簽:芯片IGBT熱管理半導體器件熱設計 722

1500V光伏逆變器中的ANPC技術應用

1500V光伏逆變器中的ANPC技術應用

在標準NPC的基礎上,把鉗位二極管換成主開關管,就形成了ANPC,用于解決NPC損耗分布不均帶來的熱不均 根據不同的發波方式,開關管的電流會有所不同,以下分別討論...

2024-04-07 標簽:逆變器開關管光伏逆變器鉗位二極管ANPC光伏逆變器開關管逆變器鉗位二極管 148

基于TL431芯片搭建的恒流源電路

基于TL431芯片搭建的恒流源電路

而根據上式計算結果輸出電流應該是I = 2.495V / 2Ω = 1.2475A。但實際計算結果卻小于該值,這是為什么呢?分析一下可知,流過電阻Rref的電流除了三極管的集電極電流Ic還有基極電流Ib。...

2024-04-07 標簽:三極管運放電路TL431恒流源恒流源電路 883

全面的SiC功率器件行業概覽

全面的SiC功率器件行業概覽

SiC功率器件市場正處于快速增長階段,特別是在汽車電動化趨勢的推動下,其市場規模預計將持續擴大。 根據Yole Group的報告,汽車行業對SiC功率器件的需求主要來自于電動汽車動力系統的升...

2024-04-07 標簽:新能源汽車晶圓功率器件SiC碳化硅 100

二極管15個關鍵核心要素

二極管15個關鍵核心要素

在二極管外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服PN結電場時,二極管正向導通,電流隨電壓...

2024-04-07 標簽:二極管電子元器件電流整流電流負載電阻 146

如何增強SiC功率器件的性能與可靠性?

電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求,尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。...

2024-04-07 標簽:電動汽車半導體功率器件SiC熱管理 331

如何快速設計過壓保護電路

如何快速設計過壓保護電路

TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態電壓抑制器,也被稱為雪崩擊穿二極管,是一種二極管形式的高效能保護器件。...

2024-04-06 標簽:二極管TVS過壓保護RS485瞬態電壓抑制器 180

放大器中關于ESD的實現方案

放大器中關于ESD的實現方案

前端放大器的內部ESD二極管有時會用來箝位過壓狀況,但為了確保這種箝位能夠提供充分可靠的保護,需要考慮許多因素。...

2024-04-03 標簽:放大器串聯電阻電阻ESD二極管 110

什么是負反饋?運算放大器負反饋電路分析

什么是負反饋?運算放大器負反饋電路分析

正反饋提高了電路的放大能力(可以自己根據運放特性想象一下), 在正反饋中,輸入和輸出信號的相位相似,因此兩個信號相加,適用于振蕩電路中。...

2024-04-06 標簽:反饋電路運算放大器振蕩電路負反饋電路 335

如何給電路選擇最合適的MOS產品?選擇MOS管時需考慮的關鍵要素

如何給電路選擇最合適的MOS產品?選擇MOS管時需考慮的關鍵要素

MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關、放大、調壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。...

2024-04-02 標簽:MOS管導通電阻車載逆變器電壓控制漏電流 660

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