瑞能半導體推出一種帶隙大于傳統硅基肖特基二極管的半導體器件

碳化硅（SiC）肖特基二極管是一種帶隙大于傳統硅基肖特基二極管的半導體器件。因此碳化硅二極管更適用于大功率和高頻率應用，如電動汽車（EV）的牽引逆變器、光伏逆變器、電源等。此外，與硅基器件相比，碳化硅器件具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻（導通狀態）和更高的熱導率。

預計現在到2033年期間，全球碳化硅肖特基二極管市場的年復合增長率將達到21.4%。這一增長是由諸多應用對大功率、高效率半導體器件日益增長的需求推動的。包括瑞能半導體在內的幾家公司已對碳化硅二極管的開發進行了大量投資。

今天重點推介的WNSC6D10650T二極管，正是瑞能半導體提供的亮點產品之一。

WNSC6D10650T二極管的卓越性能

WNSC6D10650T是由瑞能半導體制造的650V、10A、60mOhm肖特基二極管。作為第六代碳化硅肖特基二極管，與前幾代產品相比具有諸多優勢。

第六代生產技術結合了外延生長和晶片鍵合技術，可生產出性能卓越的二極管。外延生長工藝能生產出無缺陷的高質量碳化硅層，而晶圓鍵合工藝則能將兩個碳化硅層結合在一起，從而制造出具有更高載流能力的加厚二極管。

第六代 SiC肖特基二極管技術

更多特性和優勢

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低壓降

在室溫（25°C）下，電流為10A時，導電狀態下的壓降（正向電壓）在1.29V至1.45V之間，而在150°C時，則在1.45V至1.65V之間。較低的壓降使二極管適用于大功率和高頻率應用，如光伏轉換器、電動汽車驅動逆變器、LED驅動器、電源等。

不同電流水平和不同結溫下的典型壓降值如下圖所示：

圖1：電壓降(Vf)與傳導電流(If)的函數關系

Vo = 0.829 V；Rs = 0.0748 Ω

(1)Tj= -55°C；(2)Tj=0°C；(3)Tj=25°C；

(4)Tj=100°C；(5)Tj=150°C；(6)Tj=175°C

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低反向電流

反向電壓為650V、環境溫度為25°C時，反向電流(Ir)為1μA至50μA，而在150°C時，反向電流(Ir)為15μA至200μA。Ir值越低，二極管的效率就越高，因為當二極管不處于導通狀態時，以熱量形式損失的能量就越少。其特性也適用于功率轉換器和電源等高頻應用。

不同結溫和反向電壓下的反向電流的典型值如下圖所示：

圖2：反向電壓(Vr)與反向電流(Ir)的函數關系

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更高的最大導通電流

該值相當于二極管在短時間內能承受而不損壞的最大導通電流，這是二極管在涉及電流和電壓瞬態峰值的應用中必須具備的重要特性。

下表列出了不同工作條件下的最大電流（正向浪涌電流或Ifsm）：

圖3：不同工作條件下的最大導通電流

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減少電磁干擾（EMI）

電源的高頻運行導致電壓上升和下降速度加快，這是電磁干擾的主要原因。電磁干擾增加會導致電源裝置故障，從而導致觸電或火災。二極管WNSC6D10650T能夠降低電磁干擾（EMI），是電源的理想解決方案。

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符合RoHS指令

RoHS是限制有害物質（Restriction of Hazardous Substances）的縮寫。這是一項歐盟指令，限制在電氣和電子設備中使用某些有害物質。受RoHS限制的有害物質包括鉛、鎘、汞、六價鉻、多溴聯苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE)。這些物質是危險的，因為它們可能導致健康問題或環境破壞。

除了一流的工作特性外，WNSC6D10650T二極管還符合RoHS規范，使用該產品的電子設備既安全又環保。

審核編輯：劉清