碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料，具有比傳統硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩定性和效率。
探討氮化鎵在汽車動力系統和激光雷達的應用
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導體材料，因其優異的電子特性和潛在的系統成本優勢，在汽車和移動手機市場中展現出巨大的商業潛力。
全國最大8英寸碳化硅襯底生產基地落地山東？
作為技術應用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴大，能顯著提升續航能力與充電效率，并降低整車成本。
功率半導體2035年市值將達77,757億日元，SiC等占4...
此次調查針對功率半導體18項、零部件材料20項、制造設備19項。調查期間為2023年10月至2024年2月。
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應用解析
采用多芯片并聯的SiC功率模塊，會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發揮SiC器件的優良性能；SiC功率模塊雜散參數較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術發展滯后。
Qorvo推出創新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊
Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化熱機械設計和裝配。
碳化硅襯底產業全景：國內外主要廠商分布圖
中國在碳化硅襯底領域的布局顯示出了其對半導體材料自主供應鏈建設的重視。隨著全球對高效能、高耐用性電子器件需求的增加，碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應用中的優異性能而變得越來越重要。
國內上市的碳化硅企業的表現情況
碳化硅之所以受到投資青睞，歸功于其獨特的半導體屬性，能夠在極端的高溫、高壓、高功率、和高頻環境中發揮出色，預示著其在多種應用場景中的巨大潛力。
2024-02-25 標簽：碳化硅 377
天岳先進占據全球導電型碳化硅襯底市場第二
在電動汽車、電力設備以及能源領域驅動下，SiC功率器件市場需求整體堅挺， 2030年SiC功率器件市場規模將達到近150億美元，占到整體功率器件市場約24%，2035年則有望超過200億美元，屆時SiC器件市場規模將占到整體功率器件的40%以上。
Qorvo借助SiC FET獨特優勢，穩固行業領先地位
在產品研發方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導體技術（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
SiC規模將超560億？
結合全球功率半導體市場數據推算，2022年SiC功率半導體的滲透率為4.85%，2023年滲透率為6.53%，2028年預計將達到18.58%左右。
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