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標簽 > 寬禁帶半導體
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氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導體材料,其結構具有許多獨特的性質和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結構、制備方法、物理性質和應用領域。 結構: 氮化鎵...
在當今快速發展的電力電子領域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結晶。因此...
芯塔電子發布自主研發1700V/5Ω SiC MOSFET產品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 323 0
碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產品向下滲透?!艾F在售價為20萬元以上的800V電動汽車,碳化硅功率器件滲透率約為一半,可以全驅配置,或只配置主驅。
3月15日,西電與極海微電子股份有限公司在寬禁帶半導體國家工程研究中心舉行產學研就校企合作簽約儀式暨杰出校友成長奮斗故事分享會,
三安與朗明納斯達成美洲獨家銷售協議,加速寬禁帶半導體市場拓展
據了解,三安半導體與朗明納斯均為三安光電集團的子公司,2013年,三安光電收購了朗明納斯100%股權。
11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發基地同時開展大規模量產化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...
在碳化硅產業鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節,是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。 碳化硅襯底的生產流程包括長晶、...
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