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襯底

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請問襯底的缺陷密度對結深有什么影響？

標簽：襯底 1815 0

襯底資料下載

具有帶有阻擋層的半導體襯底的集成電路立即下載

類別：半導體技術論文 2011-11-22 標簽：集成電路半導體襯底 656 0

負偏壓增強金剛石膜與襯底結合強度的理論研究立即下載

類別：納米材料論文 2009-05-16 標簽：金剛石膜襯底結合 798 0

襯底資訊

可控硅保護器件制作方法與應用——錯位觸發原理詳解

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該項技術創新結合了至少一個插指單元，每個單元的核心組件包括：襯底及在襯底一表面上生成的外延層；第一N型阱區和P型阱區，分別在外延層內形成；第一N+區和第...

2024-05-20 標簽：可控硅保護器件襯底 113 0

合肥世紀金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產能將大幅提升

據了解，世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領域取得重要突破，成功開發出可重復生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術。

2024-04-23 標簽：晶體 SiC 襯底 347 0

華潤微電子（重慶）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布

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此項發明主要涉及在襯底上構建外延疊層，并在此基礎上制備柵極、漏極和源極；同時，在器件有源區周圍形成屏蔽環層，并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。

2024-04-13 標簽：GaN 襯底華潤微電子 241 0

碳化硅降本關鍵：晶體制備技術

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在碳化硅產業鏈中，襯底是價值量最大的部分，在碳化硅器件成本構成中襯底甚至能夠占近50%，相比之下，硅基半導體器件的成本構成...

2024-01-21 標簽：襯底碳化硅第三代半導體 1885 0

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2023年國內主要碳化硅襯底供應商產能現狀

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電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內碳化硅產業經歷了可能是發展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天...

2024-01-08 標簽：SiC 襯底碳化硅 2616 0

華為新增多條芯片封裝專利信息

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該專利提出了一種全新的封裝結構，由第一芯片搭配第一混合鍵合結構制成。這種結構能有效地連接不同芯片，提升芯片間信號傳輸性能。具體而言，混合鍵合結構包含第一...

2023-12-21 標簽：芯片封裝襯底 291 0

超芯星完成數億元C輪融資，助力碳化硅襯底產能提升

自2019年4月在江蘇南京建立以來，超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術的研發和商品化。其創始者為劉欣宇博士，他具有豐富的海內外產業化經歷以及廣闊的國際...

2023-12-14 標簽：半導體襯底碳化硅 520 0

華為一種裸芯片、芯片和電子元件專利獲得授權

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據專利概述內容顯示，此項專利屬于微電子技術領域。其設計是由襯底、有源層、波導層及緩沖結構疊加組成。其中，有源層介于襯底與波導層之間，波導層為脊波導結構，...

2023-12-11 標簽：華為波導微電子 779 0

中微投資！芯元基Micro LED印章巨量轉移重大突破

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芯元基由行業資深專家郝茂盛博士于2014年創辦，上海創徒、張江科投、中微半導體等先后進行了投資，并在上海臨港建設了中試生產線。經過5年多的潛心研發，芯元...

2023-12-10 標簽：晶圓級襯底 Micro LED 961 0

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