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標簽　>　第三代半導體

第三代半導體

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第三代半導體主要是材料的變化。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發展經歷了三個階段。

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第三代半導體簡介

　　半導體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發展經歷了三個階段：

　　第一代材料是硅，以硅（Si）和鍺（Ge ）為代表，就是第一代半導體的產業園。

　　第二代材料是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（ GaP ）為代表，目前的大部分通信設備的材料。

　　第三點材料以氮化鎵（ GaN）、碳化硅（ SiC）、金剛石為代表，未來5G時代的標配。

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