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標簽 > 多晶硅
多晶硅，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。
多晶硅，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。
利用價值：從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
多晶硅，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。
利用價值：從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原而得。
多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產單晶硅的直接原料，是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）等。
從液態的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進行錘擊達到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強度使用下也不容易磨損。
inFET 技術有幾個含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設計者決定的。這意味著每個晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...
離子注入是將高能離子注入半導體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統的擴散工藝更為精確。
高溫壓力傳感器廣泛應用于工業、航空航天等領域，用來監測航空發動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設備燃燒室內的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。
多晶硅是一種重要的半導體材料，在許多領域都有廣泛的應用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太陽能電池板制造：多晶硅是太陽能電池板制造的關鍵材料之一。它可以通...
天合光能再度登上《新聞聯播》，700W+光伏組件實現產業鏈協同發展
4月6日，繼央視《新聞聯播》全國兩會高頻報道天合光能之后，時隔一月再度關注天合光能青?；厣a700W+超大功率光伏組件，并與當地上下游企業實現協同發展。
蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證
蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考...
數智時代，在汽車產業電動化、智能化、網聯化趨勢推動下，車載顯示正朝著多屏、大尺寸、高清方向蓬勃發展，帶動車規級顯示屏電源管理芯片（PMIC）需求不斷上漲。
單晶光伏板和多晶光伏板的區別? 單晶光伏板和多晶光伏板是目前最常用的兩種太陽能光伏電池板。它們在材料、生產工藝、性能和成本等方面存在一些明顯的區別。本文...
需要提及的是，年內四度宣布擴產的背景，則是硅料價格一路下滑。根據硅業分會數據顯示，截至12月20日，當周N型硅料成交區間在6.5-7萬元/噸，成交均價為...
太陽能電池特性? 太陽能電池是一種利用光能直接轉化成電能的裝置。它是目前可再生能源領域最常見也是最常用的裝置之一。太陽能電池具有很多特性，下面將詳細介紹...
多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關鍵技術，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數與電荷俘獲性能有密切的關系；此外，由于多晶...
據報道，內蒙古鑫華半導體科技有限公司有關負責人表示，該項目投資約28億元，產值約24億元，可生產1萬噸電子級硅。鑫華是目前國內最大的半導體多晶硅供應企業。
如何減小cmos帶隙基準溫度系數工藝角的影響？ CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）技術是現代電子...
上海微系統所在300mm RF-SOI晶圓制造技術方面實現突破
近日，上海微系統所魏星研究員團隊在300mm SOI晶圓制造技術方面取得突破性進展，制備出了國內第一片300mm 射頻（RF）SOI晶圓。
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