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標簽 > 單晶
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由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經過幾十年的不...
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造,...
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術,本文綜述了碳化硅單晶切...
使用物理氣相傳輸法(PVT)制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶,并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單...
單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料為單晶NCM正極構建穩定結構和界面
單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料因其高放電容量和良好的電化學性能而受到廣泛關注,然而,單晶材料在高壓下循環會發生嚴重的晶格畸變和電極/...
上海合晶登陸科創板,成為我國少數具備全流程半導體生產能力的企業
上海合晶此次募資總額高達13.9億元人民幣,這筆款項主要用于投資低阻單晶成長及優質外延研發項目,增設優質外延片研發及產業化項目,以及補充運營所需的流動資...
中來股份發布投資進展公告:一期8GW高效單晶電池智能工廠已投建
據了解,去年5月22日,中來股份的子公司——山西中來光能就曾與山西轉型綜合改革示范區管理委會簽訂投資協議,欲斥資約56億元在山西投建年產16GW高效單晶...
海納半導體(山西)有限公司半導體硅單晶生產基地工程總投資5.46億元,占地約133.85畝,建筑面積約8.97萬平方米。利用海納的自主技術,引進120套...
英特格總裁兼首席執行官(ceo)Bertrand Loy表示:“英特格在具有挑戰性的產業環境中,也取得了穩定的季度業績和執行成果。我們的收益預期下降了1...
據科創包頭透露,該計劃將在包頭、北京科創基地合作引進計劃落地包頭市青山區裝備制造產業園區總投資34.57億韓元。建設總事業建設周期將在3年正式啟動時,每...
報道稱,最近德國馬克思普朗克固體研究所的科學家帕斯卡-普帕爾(pascal puphal)提交了事前印刷本論文。該論文成功合成了lk-99單晶,實驗結果...
2021年8月,全球先進材料集團Haydale宣布與空客公司共享一系列可防止雷擊的石墨烯增強預浸料的知識產權,空客公司為該技術提交了聯合專利申請。與現有...
為了制備單晶正極,將3 μm大小的氫氧化物前驅體粉末與LiOH均勻混合,并分別在850、900和950℃下煅燒10小時以獲得S-NCM90、S-NCM8...
本文通過導模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶,晶體外形完整,通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認晶體結晶質量較高。采用濕法刻蝕的方法,研究了晶體...
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