截至2024年5月14日,上海維安半導體有限公司的“一種基于錯位觸發的可控硅保護器件”發明專利正式公之于眾,其申請公開編號為CN118039639A。
該項技術創新結合了至少一個插指單元,每個單元的核心組件包括:襯底及在襯底一表面上生成的外延層;第一N型阱區和P型阱區,分別在外延層內形成;第一N+區和第一P+區,分別在第一N型阱區內生成,且第一P+區與第一N+區電性相連,構成了保護器件的陽極;第三N+區,在P型阱區內生成,其電性輸出端則作為保護器件的陰極;第二N+區和第二P+區,同樣在外延層內生成,其中第二P+區位于第一N型阱區遠離P型阱區的一側,并與第二N+區直接接觸。此設計的優勢在于,通過將導通路徑與觸發路徑分離開來,顯著提升了器件的穩定性和可靠性。
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