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標簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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在紫外光照射下,三芳基碘鹽光敏劑被激活,釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應,引發單體之間的交聯反應,導致SU-8光刻膠在...
2024-03-31 標簽:光刻膠 1223 0
XeF2和SF6可以相互替換嗎?XeF2和SF6對硅腐蝕的區別?
我們知道含F的XeF2和SF6都被當做腐蝕硅的氣體,XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體,而SF6常和CF4搭配作為硅各向異性腐蝕的氣體,那么XeF2和...
2024-03-21 標簽:光刻膠 229 0
本次榮獲“首批新材料”稱號的藍色顯示光刻膠,歷經公司多年密集研發,同行業相較其關鍵參數處于領先地位,多項性能優于國際同類產品,目前暢銷于多個行業知名品牌。
三星擬應用金屬氧化物抗蝕劑(MOR)于DRAM EUV光刻工藝
據悉,MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠(PR)解決方案,有望替代現今先進芯片光刻工藝中的化學放大膠(CAR)。然而,CAR在提升PR分辨率、增強抗蝕能...
在被超60億美元收購后,日本光刻膠巨頭JSR積極尋求擴大規模,以適應全球芯片制造行業的快速發展。
光刻膠的性能:光刻膠的性能對套刻精度有顯著影響。它決定了圖形的套刻分辨率和邊緣清晰度,光刻膠的收縮和厚度不均勻性都可能導致實際圖案尺寸與設計尺寸之間的偏差。
對于未來發展,JSR強調通過并購獲取新技術及擴大規模是實現成功的關鍵。作為全球最大的光刻膠生產商之一,JSR在半導體晶圓電路形成領域占據了27%的市場份...
康達新材投資2.89億元建設半導體光刻膠關鍵材料光引發劑技術項目?
康達新材表示,為了貫徹其“新材料+電子科技”戰略,優化旗下彩晶光電產品構成,填補內地資源空缺,推進國產化進程,解決半導體光刻膠核心材料受限問題,打破國際...
隨著半導體制造工藝節點不斷發展至100納米甚至更小的10納米級別,如何制作出尺寸精度高、表面特征優秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個行業面臨的挑戰。
據吳中發布的最新消息,簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目,該項投資高達15億元,旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產基地。
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