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英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業。公司采用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。
機器人系統隨工業4.0的發展不斷完善，其電源、傳感和控制標準也不斷提高，機器人的廣泛應用要求它體積更小，靈活性更高，能效
近日，有消息透露，英諾賽科公司正籌備在今年內赴香港進行首次公開募股（IPO），預計融資規模將達到約3億美元。
英諾賽科，這家成立于2015年12月的高新技術企業，近日傳出計劃今年內在香港進行IPO的消息，預計融資規模將達到3億美元
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融資規模約3億美元！英諾賽科計劃最早于今年內在香港進行IPO
這家TOP 1 氮化鎵廠商終于要上市了！
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英諾賽科（Innoscience）一直致力于推動GaN技術的發展，從而推動新一代電力電子設備的快速普及。2023年8月，
英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業。公司采用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。公司的主要產品涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件，產品設計及性能均達到國際先進水平。
英諾賽科已在激光雷達、數據中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅動等方面發布產品方案，并與國內多家應用頭部企業開展深度合作，實現量產。英諾賽科作為技術全球領先的第三代半導體公司，在8英寸硅基氮化鎵核心技術和關鍵工藝領域已實現重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化鎵量產平臺，實現了中國第三代半導體零的突破。
我們的核心技術團隊
英諾賽科的核心技術團隊由半導體和（電力）電子行業的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領先公司，在硅基氮化鎵技術的開發和大規模量產方面擁有豐富的經驗。
此外，為了展示英諾賽科在氮化鎵技術領域擁有的潛力，并更加順利地推廣產品，英諾賽科還匯集了系統工程領域的專家，用于進行面向特殊應用和客戶的開發板及其他電路系統的研制。
英諾賽科（Innoscience）創立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產業鏈模式，集設計、研發、生產和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產基地。
公司成立之初，英諾賽科的創始人就深知，如果想實現氮化鎵技術在市場上的廣泛應用，產品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規模推廣，還需要解決另外三個痛點：首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規模量產能力，以應對市場的爆發。第三，要確保器件供應鏈穩定，有了穩定的貨源供應，客戶可以全心全意投入產品和系統的開發，無需擔心因氮化鎵器件供應戰略的變化而導致停產。因此，Innoscience 明白，只有擴大 GaN 器件的產能并擁有自主可控的生產線，才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進行大規模推廣的三個痛點（價格、數量和供應安全）。
從一開始，英諾賽科就戰略性地將采用8英寸晶圓，與6英寸相比，8英寸晶圓的器件數量比6英寸晶圓多80%。同時，英諾賽科采用C-MOS工藝，以便將多年來在三極管生產領域積累的經驗和優化措施應用在氮化鎵晶圓的生產工藝中。
今天，英諾賽科已實現了最初的規劃。目前，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，采用最先進的8英寸生產工藝，是全球產能最高的氮化鎵器件廠商。
目前，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產能達到每月10000片，并將逐漸擴大至每月70000片以上。
我們能取得這些成就，離不開招銀國際、ARM、SK和CATL等世界級投資方的支持。
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摘要：英諾賽科推出 100V 雙向導通器件，可在電池管理系統、雙向變換器的高側負荷開關、電源系統中的開關電路等領域實現高效應用。 ? 英諾賽科宣布推出 ...
基于InnoGaN ISG3201和INN040LA015A 設計的1KW DCDC電源模塊方案
繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后，英諾賽科又推出一款1000W 方案，利用氮化鎵寄生結電容小的特點，配合磁集成方案...
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