IGBT/功率器件
電子發燒友網IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業新聞、產品信息及技術熱點方案及介紹。
一、二、三代半導體的區別
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優勢被放大。...
2024-04-18 124
SiC MOSFET短路失效的兩種典型現象
短路引起的 SiC MOSFET 電學參數的退化受到了電、熱、機械等多種應力的作用，其退化機理需要從外延結構、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。...
2024-04-17 140
電阻的基本原理 電阻的工藝種類介紹
繞線電阻是將鎳鉻合金導線繞在氧化鋁陶瓷基底上，一圈一圈控制電阻大小。 繞線電阻可以制作為精密電阻，容差可以到0.005%，同時溫度系數非常低，缺點是繞線電阻的寄生電感比較大，不能...
2024-04-17 106
電阻不同顏色的色環代表什么意思
電阻器顏色代碼是一種標準化系統，用于表示電阻器的電阻值、容差，有時甚至表示電阻器的溫度系數。它們由涂在電阻器主體上的彩色帶組成，每個彩色帶代表電阻器值中的特定數字或乘數。...
2024-04-17 123
MOS管柵極前加100Ω電阻的作用是什么
功率MOS管的驅動電路中會分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路：對開關驅動信號中的高頻諧波分量產生諧振，進而引起功率管輸出電壓的波動。...
2024-04-16 126
碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料，具有比傳統硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩定性和效率。...
2024-04-16 131
深度解析TVS關鍵參數及選型技巧
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導體工藝制成的單個 PN 結或多個 PN 結集成的器件。...
2024-04-16 120
晶振工作原理及匹配電容選取方法
我們知道可以通過調節負載電容CL來微調振蕩器的頻率，這就是為什么晶振制造 商在其產品說明書中會指定外部負載電容CL值的原因。通過指定外部負載電容CL值，可以使晶 振晶體振蕩時達到其...
2024-04-15 108
電感如何選型？常見的電感參數
電感是一種電路元件，它可以在自身磁場中儲存能量。電感通過儲存將電能轉換為磁能，然后向電路提供能量以調節電流。當電流增加，磁場就會增強。...
2024-04-15 197
MOS管為什么會冒煙燒毀？MOS燒管的案例2分享
當VGS小于一定的電壓值，DS極就會導通，適合用于S極接正電源的情況（高端驅動）。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于其導通電阻大、價格貴、替換種類少等原因，在大部分應用中通...
2024-04-12 504
探討氮化鎵在汽車動力系統和激光雷達的應用
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導體材料，因其優異的電子特性和潛在的系統成本優勢，在汽車和移動手機市場中展現出巨大的商業潛力。...
2024-04-12 208
ADI二極管鉗位電路設計應用
在此電路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速鉗位一些瞬態的電壓到30V，同時它的漏電流也非常非常?。?5℃的時候典型漏電流為1nA），這個管子也很推薦大家使用，漏電流很小。...
2024-04-12 199
深入探討碳化硅功率器件優勢、應用
碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更優越的物理和化學特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導率、更高的工作溫度和更快的開關速度。...
2024-04-12 70
MOS管柵極前加100Ω電阻原理分析
在MOSFET的柵極前增加一個電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。...
2024-04-11 151
小米SU7碳化硅應用情況如何？
小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅供應商為聯合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據調研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產品。...
2024-04-11 529
全國最大8英寸碳化硅襯底生產基地落地山東？
作為技術應用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴大，能顯著提升續航能力與充電效率，并降低整車成本。...
2024-04-11 136
光電三極管的特性及結構示意圖
光電三極管是一種半導體器件，能夠感應光水平并根據其接收的光水平來改變在發射極和集電極之間流動的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應光并改變晶體管端子之間的電流...
2024-04-10 368
關于光電三極管的簡單介紹
光電三極管有塑封、金屬封裝、陶瓷、樹脂等多種封裝結構，引腳分為兩腳型和三腳型。一般兩個管腳的光電三極管，管腳分別為集電極和發射極，光窗口則為基極。...
2024-04-10 412
基于JEDEC柵電荷測試方法測量MOSFET的柵電荷
在柵極電荷方法中，將固定測試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對應。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。...
2024-04-10 127
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的...
2024-04-10 1109
碳化硅器件在車載充電機（OBC）中的性能優勢
碳化硅作為第三代半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉化能耗損失降低20%，在OBC產品上使用碳化硅功率器件對于提升...
2024-04-10 126
深入探索芯片內部電路結構
SDA和SCL都是雙向線路，都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當總線空閑時，這兩條線路都是高電平，連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電極開路才能執行線與的功能。...
2024-04-10 60
PIN二極管的結構圖和工作原理分析
PIN二極管的結構由P型半導體、Intrinsic半導體和N型半導體三層組成。Intrinsic半導體層是一層輕摻雜的半導體，因此可忽略自由載流子。...
2024-04-09 546
一文詳解IGBT 模塊的熱設計和熱管理
其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點較小，芯片工作中產生的熱量主要通過熱傳導的方式由芯片向基板單向傳遞，在此過程中會遇到一定的阻力，稱為導熱熱阻。...
2024-04-07 520
如何快速設計過壓保護電路
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態電壓抑制器，也被稱為雪崩擊穿二極管，是一種二極管形式的高效能保護器件。...
2024-04-06 144
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