IGBT/功率器件
電子發燒友網IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業新聞、產品信息及技術熱點方案及介紹。
一文解析SiC功率器件互連技術
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。...
2024-03-07 213
電動車窗開關中MOS管的應用解析
MOS管以其卓越的開關特性而聞名，能夠在微秒級別內迅速切換電流。這為電動車窗的開關提供了高效的能耗管理，顯著減少了功率損耗，使得車輛在長時間使用中能夠更加節能環保。...
2024-03-07 165
關于電容電抗的三個實例分享
隨著施加到電容器的頻率增加，其效果是降低其電抗（以歐姆為單位測量）。同樣，當電容器兩端的頻率降低時，其電抗值也會增加。這種變化稱為電容器的復阻抗。...
2024-03-07 240
場效應管怎么區分n溝道p溝道（MOS管導通條件）
按材料分可分為結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管，并且大多采用增強型的N溝道，其次是增強型的P溝道，結型管和耗盡型管幾乎不...
2024-03-06 1197
場效應管是如何導通的 場效應管導通和截止的條件
在一般情況下，場效應管（FET）的導通電阻越小越好，因為較小的導通電阻意味著在導通狀態下，FET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。...
2024-03-06 1429
超導場效應管的分類及其原理分析
超導場效應管（Superconducting Field Effect Transistor，SFET）是一種新型的半導體器件，它結合了超導電性和晶體管的場效應特性，提供了低噪聲、低功耗和高速等優異特性。...
2024-03-06 325
功率半導體2035年市值將達77,757億日元，SiC等占45%
此次調查針對功率半導體18項、零部件材料20項、制造設備19項。調查期間為2023年10月至2024年2月。...
2024-03-06 139
BUCK電路為何電感成為難點，而非簡單的MOS管與三元件組合？
什么是BUCK電路？BUCK電路就是降壓斬波電路,是基本的DC-DC電路，用于直流到直流的降壓變換；與之相對的是BOOST電路（BOOST電路...
2024-03-05 152
如何從不同角度分析電容去耦原理
從儲能角度理解電容容易造成一種錯覺，認為電容越大越好。而且容易誤導大家認為儲能作用發生在低頻段，不容易向高頻擴展。實際上，從儲能角度理解，可以解釋任何電容的功能。...
2024-03-04 262
五種主流的電平轉換方案盤點
使用專用的電平轉換芯片，只需給芯片兩側提供不同的電壓，電平轉換由芯片內部完成，如74xHC系列和74xHCT系列芯片，可實現七路3.3V與5V電平相互轉換。...
2024-03-04 874
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應用解析
采用多芯片并聯的SiC功率模塊，會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發揮SiC器件的優良性能；SiC功率模塊雜散參數較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術發展滯后。...
2024-03-04 431
三極管開關電路設計圖原理
TTL晶體管開關電路按驅動能力分為小信號開關電路和功率開關電路；按晶體管連接方式分為發射極接地（PNP晶體管發射極接電源）和射級跟隨開關電路。...
2024-03-04 539
igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會有什么影響？
可控硅具有優秀的反向阻斷能力，適用于需要在極短時間內承受較高反向電壓沖擊的場合。而IGBT的反向阻斷能力相對較弱，不適用于這種高反向電壓沖擊的場合。...
2024-02-29 687
晶體管和集成電路是什么關系？
集成電路是通過一系列特定的平面制造工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連關系，“集成”在一塊半導體單晶片上，并封裝在一個保護外殼內，能...
2024-02-29 472
碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實現更高的功率密度和效率。...
2024-02-29 339
Qorvo推出創新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊
Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化熱機械設計和裝配。...
2024-02-29 173
為什么GaN被譽為下一個主要半導體材料？
擁有能夠在高頻下高功率運行的半導體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優勢，但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。...
2024-02-29 133
運算放大器基本原理及輸入輸出
運算放大器具有非常高的開環增益，通?？梢赃_到幾萬甚至幾十萬倍。這種高增益性質可以使運算放大器在輸出信號中放大微小的輸入信號，從而提高整個系統的增益。...
2024-02-28 1683
一問解析電解電容與鉭電容區別
當負極引腳接高電位、正極引腳接低電位時，氧化膜處于通流狀態，如同PN結的正向導通一樣，兩極板之間的電流很大，將失去電容的作用，注意這種電容正、負極引腳接反后還會發生停止工作...
2024-02-28 631
繼電器光耦的工作原理與應用探討
繼電器光耦主要由發光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發光二極管作為輸入端，當輸入電流通過時，會發出特定波長的光。...
2024-02-27 165
功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析
選擇一個工作點而不是另一個工作點作為數據表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點作為在生產線末端測試時用于篩選器件的相同工作點，或者出于營銷或客戶目的以指示某些所需的能...
2024-02-27 409
電流與電壓互感器有何差異
電壓互感器同樣利用電磁感應原理工作，不過變換的是電壓。它和另一個為人熟知的變換電壓的裝置——變壓器類似，但是二者功能并不一樣，而且電壓互感器的容量通常不會太大。...
2024-02-26 145
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