IGBT/功率器件
電子發燒友網IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業新聞、產品信息及技術熱點方案及介紹。
二極管反向恢復電流測試方法解析
調節電壓旋鈕選擇器件反向耐壓，將電壓設置到300V。在測試時，紅色夾子和黑色夾子同輸入交流電市電無隔離，請勿冒險將示波器探頭和夾子連接。...
2024-03-29 149
二維材料異質外延GaN及其應用探索
傳統的GaN異質外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術也有待進一步提高。...
2024-03-28 145
晶體管入門基礎知識全面解析
基極電壓升高時，BJT的基極電流開始流動，集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發生電流流動。這個電壓被稱為基極-發射極閾值電壓（VBE）。...
2024-03-27 485
探索天氣影響下的三極管異?，F象
當單板啟動時，SLP_S3會輸出3V3電平，此時Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區時hFE=100計算，ic=100*1.3mA=130mA，已經超過了ic的飽和電流1.2mA（12V/10K）。...
2024-03-27 257
IGBT模塊封裝過程中的技術詳解
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。...
2024-03-27 337
深度解析MOS場效應管應用實例
MOSFET的輸入電阻很高，高達109Ω以上，從導電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強型和耗盡型。...
2024-03-26 208
電阻元件典型應用電路細探討及分析
有些DCDC的輸出端接的負載的等效電阻很高，這樣對下電時，會有很長的放電時間，這有可能導致電源時序有問題，所以一般會在輸出端加個電阻。...
2024-03-26 123
碳化硅功率器件的工作原理
碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩定的半導體特性。...
2024-03-26 93
碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究
Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?， 鍵能大小為 447 kJ/mol。...
2024-03-26 138
MOS管散熱片設計如何影響EMC表現
騷擾通過MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話，在騷擾電壓一定的情況下，阻抗很低，騷擾電流很大，導致CE測試失效。...
2024-03-25 200
常見的電平電路轉換方法
當 SDA2 輸出低電平時：MOS 管不導通，但是它有體二極管，MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平，此時 Vgs 約等于 3.3V，MOS 管導通，進一步拉低了 SDA1 的電壓。...
2024-03-25 432
如何全方面了解三極管
三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。...
2024-03-20 165
二極管在LDO電路中的常見應用方式
① LDO正常工作時，VIN大于VOUT，二極管D3截止； ② LDO掉電，出現VOUT下電比VIN下電慢的情況，反向壓差可能會損壞LDO，加了D3，輸入和輸出電壓差鉗位在二極管壓降大小，保護了LDO。...
2024-03-19 454
碳化硅MOS、超結MOS與IGBT性能比較
Si-MOSFET根據制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。...
2024-03-19 428
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。...
2024-03-19 127
igbt導通條件和關斷條件
IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。...
2024-03-18 1144
變頻器igbt工作原理和作用
IGBT的開關速度指的是從導通到截止（或反之）所需的時間?？焖俚拈_關速度有助于減少功率損耗和提高效率，但過快的開關速度可能會增加電壓和電流的瞬態壓降，導致器件損壞。...
2024-03-18 969
石墨烯芯片半導體產業，引領我們告別硅時代？
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這些材料，在特定的應用領域（如高頻、高功率電子器件）中展現出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領域，提供硅難以企及的差異化優勢。...
2024-03-18 112
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