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電子發燒友網>模擬技術>SiC器件工作原理與優勢

SiC器件工作原理與優勢

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2024-01-10 09:28:30266

IGBT器件的結構和工作原理

IGBT器件的結構和工作原理
2024-02-21 09:41:59533

碳化硅功率器件工作原理和性能優勢

的物理性能和潛力巨大的市場應用前景,受到了業界的廣泛關注。本文將深入探討碳化硅功率器件工作原理、性能優勢、應用領域以及未來的發展趨勢。
2024-02-25 10:37:01317

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43160

碳化硅(SiC)功率器件核心優勢及技術挑戰

SiC器件的核心優勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導率是硅的3倍以上,有利于高功率應用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:15109

SiC器件工作原理與主要優勢!

在追求能源效率和對高性能電力電子系統的需求不斷增長的今天,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩定性,正在變革傳統功率電子技術。
2024-04-18 11:03:1824

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