模擬技術

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全部新品資訊技術資料企業論壇運算放大器選型

基于FPGA的TLC5620數模轉換（DA）設計

本設計采用串行數/模轉換芯片TLC5620，TLC5620是一個擁有四路輸出的數/模轉換器，時鐘頻率最大可達到1MHz。...

2024-04-08 標簽：FPGA 運算放大器數模轉換器數模轉換 FPGA 基準電源數模轉換數模轉換器運算放大器 414

探究50V μF級MLCC電容在24V/28V工況下短路的原因

大容值的MLCC電容，耐電壓擊穿電壓波動能力其實是比較弱的，再加之電容生產過程的陶瓷介質片的厚度一致性難控制問題，電壓波動、上電浪涌電壓等場合下，MLCC電容被擊穿也就在所難免了。...

2024-04-08 標簽：電容 MLCC MLCC 電容鉭電解電容 143

一文詳解IGBT 模塊的熱設計和熱管理

其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點較小，芯片工作中產生的熱量主要通過熱傳導的方式由芯片向基板單向傳遞，在此過程中會遇到一定的阻力，稱為導熱熱阻。...

2024-04-07 標簽：芯片 IGBT 熱管理半導體器件熱設計 906

1500V光伏逆變器中的ANPC技術應用

在標準NPC的基礎上，把鉗位二極管換成主開關管，就形成了ANPC,用于解決NPC損耗分布不均帶來的熱不均根據不同的發波方式，開關管的電流會有所不同，以下分別討論...

2024-04-07 標簽：逆變器開關管光伏逆變器鉗位二極管 ANPC 光伏逆變器開關管逆變器鉗位二極管 165

基于TL431芯片搭建的恒流源電路

而根據上式計算結果輸出電流應該是I = 2.495V / 2Ω = 1.2475A。但實際計算結果卻小于該值，這是為什么呢？分析一下可知，流過電阻Rref的電流除了三極管的集電極電流Ic還有基極電流Ib。...

2024-04-07 標簽：三極管運放電路 TL431 恒流源恒流源電路 1251

全面的SiC功率器件行業概覽

SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規模預計將持續擴大。根據Yole Group的報告，汽車行業對SiC功率器件的需求主要來自于電動汽車動力系統的升...

2024-04-07 標簽：新能源汽車晶圓功率器件 SiC 碳化硅 110

二極管15個關鍵核心要素

在二極管外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服PN結電場時，二極管正向導通，電流隨電壓...

2024-04-07 標簽：二極管電子元器件電流負載電阻二極管整流電流電子元器件電流負載電阻 167

如何增強SiC功率器件的性能與可靠性？

電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。...

2024-04-07 標簽：電動汽車半導體功率器件 SiC 熱管理 359

如何快速設計過壓保護電路

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態電壓抑制器，也被稱為雪崩擊穿二極管，是一種二極管形式的高效能保護器件。...

2024-04-06 標簽：二極管 TVS 過壓保護 RS485 瞬態電壓抑制器 212

放大器中關于ESD的實現方案

前端放大器的內部ESD二極管有時會用來箝位過壓狀況，但為了確保這種箝位能夠提供充分可靠的保護，需要考慮許多因素。...

2024-04-03 標簽：放大器串聯電阻電阻 ESD二極管 123

什么是負反饋？運算放大器負反饋電路分析

正反饋提高了電路的放大能力（可以自己根據運放特性想象一下），在正反饋中，輸入和輸出信號的相位相似，因此兩個信號相加，適用于振蕩電路中。...

2024-04-06 標簽：反饋電路運算放大器振蕩電路負反饋電路 533

如何給電路選擇最合適的MOS產品？選擇MOS管時需考慮的關鍵要素

MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關、放大、調壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。...

2024-04-02 標簽：MOS管導通電阻車載逆變器電壓控制漏電流 705

驅動電路輸出模式的推挽與開漏輸出

推挽輸出（Push-Pull Output），故名思意能輸出兩種電平，一種是推（拉電流，輸出高電平），一種是挽（灌電流，輸出低電平）。推挽輸出可以使用一對開關來實現，在芯片中一般使用晶體管 ...

2024-04-06 標簽：模擬電路上拉電阻場效應管 MOS管晶體管 470

碳化硅功率器件：能效革新的催化劑！

隨著全球對能效和環保的要求日益提高，傳統硅基半導體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應用場景中。...

2024-04-02 標簽：半導體逆變器功率器件 SiC 碳化硅 338

IGBT模塊封裝過程中的技術詳解

IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術，防止運行過程中發生爆炸;第二是電極結構采用了彈簧結構，可以緩解安裝過程中對基板上形成開裂，造成基板的裂紋;第三是對底板進行加工設計，使底板與...

2024-04-02 標簽：MOSFET IGBT 晶體管熱管理 IGBT MOSFET 晶體管熱管理續流二極管 350

運算放大器的4個經典電路運算分析

如何理解“虛斷”呢？由于運放的差模輸入電阻很大，一般通用型運算放大器的輸入電阻都在 1MΩ以上。因此流入運放輸入端的電流往往不足 1uA，遠小于輸入端外電路的電流。...

2024-04-02 標簽：pcb 電流運算放大器輸出電壓輸入電阻 356

深度解析碳化硅功率器件原理和優勢

SiC市場格局仍由海外巨頭主導，市占率排名依次是：意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。...

2024-04-01 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 730

如何能找到高性價比的MOS管讓產品力提升呢？

三輪車控制器的競爭品牌在近兩年越來越多，不僅有衡翔、宗彭、美驅科技等知名的，也有錫安馳、正華仲、DIY、星浩、涌勝、天王鑫、圣創、安百潔、安路班、利瑞、大騰、鴻潤達等競爭對手...

2024-04-01 標簽：控制器場效應管 MOS管電流電壓脈沖電流 336

安森美SiC方案助力800V車型加速發布解決補能焦慮

實際上，近期有越來越多的國內外車企開始加速800V電壓架構車型的量產，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。...

2024-04-01 標簽：電動汽車安森美逆變器 SiC 雜散電感 407

聯合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產

2024年3月，聯合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產。本次量產標志著聯合電子在400V電壓平臺上實現了Si和SiC技術的全面覆蓋，也標志著聯合電子同時擁有了400V Si，400V SiC和800V...

2024-04-01 標簽：逆變器 Boost SiC 寄生電感碳化硅 494

無源濾波器設計工作原理及步驟

使用濾波器，我們可以獲取組合信號并再次濾除分量信號。使用濾波器的原因有很多，包括：濾除噪音，共享媒介...

2024-04-05 標簽：電容濾波器電感信號處理信號處理無源濾波器濾波器電容電感 127

二極管反向恢復電流測試方法解析

調節電壓旋鈕選擇器件反向耐壓，將電壓設置到300V。在測試時，紅色夾子和黑色夾子同輸入交流電市電無隔離，請勿冒險將示波器探頭和夾子連接。...

2024-03-29 標簽：二極管電流示波器交流電 218

東芝發布全新SmartMCD?系列柵極驅動IC

電動汽車（xEV）市場的擴大帶來了電氣化、零部件集成化、電子控制單元（ECU）小型化和低噪音電機等市場需求。...

2024-03-29 標簽：微控制器東芝嵌入式電機驅動驅動IC 125

二維材料異質外延GaN及其應用探索

傳統的GaN異質外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術也有待進一步提高。...

2024-03-28 標簽：功率器件石墨烯 GaN 熱管理 258

電路中令人頭大的各種電容元器件

電容是由兩塊平行的導電極板所構成，充電時以電場形式進行能量儲存。并可以在放電電路中把儲存的能量釋放。...

2024-03-28 標簽：旁路電容元器件電容電源電路耦合電容 186

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。...

2024-03-28 標簽：電容器 MOSFET 安森美碳化硅閾值電壓 748

如何生成脈沖寬度調制PWM信號？

PWM信號具有許多優點，例如精準性高，可以快速實現控制的響應和控制精度，并快速響應任何運動誤差。...

2024-03-27 標簽：PWM 比較器模擬信號脈沖寬度調制 PWM PWM發生器模擬信號比較器脈沖寬度調制 624

MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的？柵源振蕩的危害什么？如何抑制

MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的柵源振蕩是指在工作過程中，出現的柵極與源極之間...

2024-03-27 標簽：MOSFET 振蕩電路晶體管 704

什么是MOS管亞閾值電壓？MOSFET中的閾值電壓是如何產生的？

什么是MOS管亞閾值電壓？MOSFET中的閾值電壓是如何產生的？亞閾值區在 MOSFET器件中的作用及優點? MOS管亞閾值電壓指的是在MOSFET器件中的亞閾值區域工作時，門極電壓低于閾值電壓的情況。在...

2024-03-27 標簽：MOSFET MOS管閾值電壓 1422

MOS管中漏電流產生的主要六大原因

MOS管中漏電流產生的主要六大原因? MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種重要的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。然而，MOS管中漏電流的產生是一個常見的問題，需要仔細...

2024-03-27 標簽：MOS管電流電壓漏電流 1285

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