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標簽 > 寄生電感
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安建半導體推出針對大電流高功率應用的SGT MOSFET器件
近年來,工業及消費市場對于系統的要求不斷提高,為達到更優秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔當著非常重要的角色。
宏微科技推出分別針對汽車800V平臺和增程式混動的兩款IGBT模塊
宏微科技本次推出適合汽車800V平臺電驅控制器的產品 MMG600V120X6RS,以及針對1.5L增程器70KW GCU的產品 MMG280VD075...
聯合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產
2024年3月,聯合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產。本次量產標志著聯合電子在400V電壓平臺上實現了Si和SiC技術的全面覆蓋...
從式中可以看出:過孔的直徑對寄生電感的影響較小,而長度才是影響寄生電感的關鍵因素。所以,在設計電路板時,要盡量減小過孔的長度,以提高電路的性能。
應用于200kW及以上光伏逆變系統的1000V-400A ANPC三電平模塊
JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊,產品型號為 JG3R400AL100HT。
國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規級認證
繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后,近日,國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOS...
如何減少導線的寄生電感?? 引言: 隨著電子設備的廣泛應用,對于高速數據傳輸和高頻信號的傳輸要求也越來越高。然而電學特性的限制使得對導線的寄生電感逐漸成...
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