模擬技術
電子發燒友網為用戶提供了專業的模擬技術文章和模擬電子技術應用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術與電子技術欄目。
晶體管入門基礎知識全面解析
基極電壓升高時，BJT的基極電流開始流動，集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發生電流流動。這個電壓被稱為基極-發射極閾值電壓（VBE）。...
2024-03-27 612
探索天氣影響下的三極管異?，F象
當單板啟動時，SLP_S3會輸出3V3電平，此時Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區時hFE=100計算，ic=100*1.3mA=130mA，已經超過了ic的飽和電流1.2mA（12V/10K）。...
2024-03-27 284
數字設計的信號完整性基礎知識
每當沿著一條導線驅動信號時，該導線周圍都會產生磁場。如果兩根導線相鄰放置，兩個磁場可能會相互作用，導致信號之間的能量交叉耦合，稱為串擾。...
2024-03-27 139
IGBT模塊封裝過程中的技術詳解
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。...
2024-03-27 572
探索BJT、CMOS、DMOS等半導體工藝技術
雙極性結型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管。晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動，由于同時涉及到電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被...
2024-03-27 637
探秘功率二極管反向恢復抑制的三大法寶
為解決功率二極管反向恢復問題已經出現了很多種方案。一種思路是從器件本身出發，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現帶來了器件革命的曙光，它幾乎不存在...
2024-03-27 337
如何處理MOS管小電流發熱嚴重情況？
穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，產生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發生DIBL效應，使源襯底結正偏出現電流逐步增大的特征。...
2024-03-27 410
IGBT驅動電路的隔離方式與作用
驅動電路要求 o提供適當的正反向電壓，使IGBT能可靠地開通和關斷○提供IGBT適當的開關時間 oIGBT開通后，提供足夠的電壓和電流幅值○保證IGBT電路較好的效率 o較強的...
2024-03-27 318
Buck電路EMI高風險區域揭秘
標準的矩形波，電壓波形跳變具有明顯的激增和驟降，存在高dv/dt，高頻分量飽和程度也是拉滿。結合上節提到的寄生電容和分布電感，給共模噪聲的產生做了巨大貢獻。SW節點電壓跳變所產生...
2024-03-26 457
深度解析MOS場效應管應用實例
MOSFET的輸入電阻很高，高達109Ω以上，從導電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強型和耗盡型。...
2024-03-26 237
電阻元件典型應用電路細探討及分析
有些DCDC的輸出端接的負載的等效電阻很高，這樣對下電時，會有很長的放電時間，這有可能導致電源時序有問題，所以一般會在輸出端加個電阻。...
2024-03-26 156
碳化硅功率器件的工作原理
碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩定的半導體特性。...
2024-03-26 122
碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究
Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?， 鍵能大小為 447 kJ/mol。...
2024-03-26 250
FinFET是什么？22nm以下制程為什么要引入FinFET呢？
隨著芯片特征尺寸的不斷減小，傳統的平面MOSFET由于短溝道效應的限制，難以繼續按摩爾定律縮小尺寸。...
2024-03-26 688
安森美發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。...
2024-03-26 735
英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的
本文提及的相關產品，均會在直播中出現掃描上方二維碼即可報名摘要：EconoDUAL3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器（S...
2024-03-26 358
MOS管散熱片設計如何影響EMC表現
騷擾通過MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話，在騷擾電壓一定的情況下，阻抗很低，騷擾電流很大，導致CE測試失效。...
2024-03-25 318
運算放大器同向輸入端和反向輸入端怎么區分
運算放大器（Operational Amplifier，簡稱 Op-Amp）是一種重要的電子元件，在模擬電路中有著廣泛的應用。運算放大器具有以下幾個主要特點...
2024-03-25 2245
常見的電平電路轉換方法
當 SDA2 輸出低電平時：MOS 管不導通，但是它有體二極管，MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平，此時 Vgs 約等于 3.3V，MOS 管導通，進一步拉低了 SDA1 的電壓。...
2024-03-25 926
合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08
大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性，在大功率應用場景如電車、儲能電站、光伏等高功率應用上具有重要作用。...
2024-03-22 440
什么是理想的運算放大器？運算放大器的基本應用
運算放大器廣泛適用于各種物聯網家用電器和其它電子應用領域的各類用途。例如，運算放大器用于放大來自傳感器和測量儀器的模擬信號。...
2024-03-22 536
圣邦微電子推出一款具有可調節的使能閾值和滯回的300mA降壓轉換器
圣邦微電子推出 SGM61103，一款具有可調節的使能閾值和滯回的 3V 至 17V、300mA 降壓轉換器。該器件可應用于嵌入式處理、電池供電系統、9V 至 15V 待機電源、能量收集和逆變器。...
2024-03-22 460
高速ADC的電源拓撲結構設計方案
當供電軌上有噪聲時，決定ADC性能的因素主要有三個，它們是PSRR-dc、PSRR-ac和PSMR。PSRR-dc指電源電壓的變化與由此產生的ADC增益或失調誤差的變化之比值，它可以用最低有效位(LSB)的分數、百分比...
2024-03-22 156
編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯網 | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發電 | UPS | AR | 智能電網 | 國民技術 | Microchip |
| 開關電源 | 步進電機 | 無線充電 | LabVIEW | EMC | PLC | OLED | 單片機 |
| 5G | m2m | DSP | MCU | ASIC | CPU | ROM | DRAM |
| NB-IoT | LoRa | Zigbee | NFC | 藍牙 | RFID | Wi-Fi | SIGFOX |
| Type-C | USB | 以太網 | 仿真器 | RISC | RAM | 寄存器 | GPU |
| 語音識別 | 萬用表 | CPLD | 耦合 | 電路仿真 | 電容濾波 | 保護電路 | 看門狗 |
| CAN | CSI | DSI | DVI | Ethernet | HDMI | I2C | RS-485 |
| SDI | nas | DMA | HomeKit | 閾值電壓 | UART | 機器學習 | TensorFlow |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
工商網監