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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了,EUV已經遇到了一些延遲,將技術從一個節點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產euv光刻機發展等內容。
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ASML創下新的EUV芯片制造密度記錄,提出Hyper-NA的激進方案
ASML在imec的ITF World 2024大會上宣布,其首臺High-NA(高數值孔徑)設備已經打破了之前創下的記錄,再次刷新了芯片制造密度的標準。
臺積電魏哲家與ASML高層會面,是否有意購買高數值孔徑極紫外光機臺?
此前,該公司首席執行官魏哲家曾明確表示,過早引入High-NA EUV并無太大經濟效益,直到日前其秘密訪問ASML總部,使市場猜測臺積電是否因此事發生重大轉變。
美光將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠,2027年底或將竣工
美光近期發布公告,將斥資45至55億美元在日本廣島建設DRAM芯片制造工廠,以引入頂尖EUV設備,預計最早于2027年末實現先進DRAM量產。
據悉,新廠將采用EUV光刻機技術,并計劃在2025年量產的下一代1-gamma(nm)節點引入EUV光刻技術。鑒于DRAM行業的代際周期,新廠有望具備生...
Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意,未采用高NA EUV光刻機
在全球四大先進制程代工巨頭(包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus)中,只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機進行大規模生產。
來源:國芯網,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 5月22日消息,據外媒報道,臺積電從ASML購買的EUV極紫外光刻機,暗藏后門,可以在必要的時候執行遠程...
范登布林克指出,更高的數值孔徑能提高光刻分辨率。他進一步解釋說,Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產流程,避免因使用 High NA 光刻機進行雙...
另一方面,臺積電的年度技術論壇正在美國和歐洲如火如荼地進行,備受世人矚目的是該公司計劃在2026年量產A16技術,該技術將結合納米片晶體管和超級電軌架構。
據臺灣業內人士透露,臺積電并未為A16制程配備高數值孔徑(High-NA)EUV光刻機,而選擇利用現有的EUV光刻機進行生產。相較之下,英特爾和三星則計...
英特爾推進面向未來節點的技術創新,在2025年后鞏固制程領先性
英特爾正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標,目前,Intel 7,采用EUV(極紫外光刻)技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。...
盡管High NA EUV光刻機有望使芯片設計尺寸縮減達三分之二,但芯片制造商需要權衡利弊,考慮其高昂的成本及ASML老款設備的可靠性問題。
英特爾正在順利推進的Intel 20A和Intel 18A兩個節點
英特爾正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標,目前,Intel 7,采用EUV(極紫外光刻)技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。
知情人士透露,由于ASML高數值孔徑EUV設備產能有限,每年僅能產出5至6臺,因此英特爾將獨享初始庫存,而競爭對手三星和SK海力士預計需等到明年下半年...
蔡司作為ASML EUV光刻機光學系統唯一供應商,其提供的三萬余個組件構成了每臺EUV光刻機的核心部分,同時在EUV光刻技術領域持有超過2000項關鍵專利。
臺積電表示A16工藝不需NAEU,新一代CoWoS封裝獲重大突破
在封裝技術的研發道路上,臺積電從未停止過前進的腳步。而除了CoWoS封裝技術的巨大進展,該公司還首次對外公布了其A16制程工藝。
來源:Yole Group 英特爾代工已接收并組裝了業界首個高數值孔徑(高NA)極紫外(EUV)光刻系統。 新設備能夠大大提高下一代處理器的分辨率和功能...
Kevin Zhang還進一步強調了人工智能芯片廠商對A16技術的熱切期待。他表示:“他們渴望充分發揮我們制程的全部性能,以實現其設計的最佳優化。
英特爾突破技術壁壘:首臺商用High NA EUV光刻機成功組裝
英特爾的研發團隊正致力于對這臺先進的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機進行細致的校準工作,以確保其能夠順利融入未...
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