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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了，EUV已經遇到了一些延遲，將技術從一個節點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術的技術應用，EUV光刻機的技術、市場問題，國產euv光刻機發展等內容。
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雖然DUVL機器可以通過多重曝光技術將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經達到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成...
光刻機經歷了5代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EU...
在封裝史上，最后一次重大范式轉變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時起，更先進的封裝形式（例如晶圓級扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進式改進。
對基板移動進行仔細管理和將基板支架的機械公差降至最低，實現無與倫比的厚度均勻性濺射工藝的卓越穩定性和極高水平的層厚度精度。
摩爾定律是指在給定面積的硅片上，晶體管的數量大約每兩年翻一番，這種增益推動了計算技術的發展。在過去半個世紀里，我們將該定律視為一種類似進化或衰老的不可避...
微電子制造過程中的圖形轉移母版掩膜版（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，是微電子制造過程中的圖形轉移工具或母版，是圖形設計和工藝技術等...
掩膜版保護膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對掩膜版起物理與化學保護作用。
在3D實現方面，存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉而轉向存儲單元的三...
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200...
納米壓印是微納工藝中最具發展潛力的第三代光刻工藝，是最有希望取代極紫外光的新一代工藝。最近，海力士公司從佳能購買了一套奈米壓印機，進行了大規模生產，并取...
EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構成光刻膠的分子必須是單組分、小的構建塊，以防止聚...
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設計過程中的后續步驟。
光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發生化學反應，從而生成電路圖。限...
采用曲線掩模的另一個挑戰是需要將兩個掩?？p合在一起以在晶圓上形成完整的圖像。對于高數值孔徑 EUV，半場掩模的拼接誤差是一個主要問題。
歐洲極紫外光刻（EUVL）技術利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產生這種光的主要來源是使用強大激光器產生的熱錫等離子體。激光參數被調整以產生大...
SSMB就產生了和FEL類似的“微聚束”，但是關鍵還加上了“穩態”。FEL不是穩態，電子團在波蕩器里自由互相作用，最后發出強光完事。SSMB是讓電子束在...
EUV光刻膠材料是光敏物質，當受到EUV光子照射時會發生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰方面發揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減...
上海伯東客戶日本某生產半導體用光刻機公司, 光刻機真空度需要達到 1x10-11 pa 的超高真空, 因為設備整體較大, 需要對構成光刻機的真空相關部件...
英特爾的發言人表示，該公司目前正在尋求多種利用定向自組裝（DSA）的集成工藝流程?！拔覀冊?SPIE 等會議上公開討論過的一個工藝流程是使用 DSA 進...
今年的大部分討論都集中在 EUV 的下一步發展以及高數值孔徑 EUV 的時間表和技術要求上。ASML戰略營銷高級總監Michael Lercel表示，目...
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