昕感科技發布一款1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0

半導體產業網獲悉：近日，昕感科技發布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。

推出兼容15V柵壓驅動的低導通電阻SiC MOSFET新產品，標志著昕感科技在大電流低導通電阻產品和技術研發方面取得新的突破，進一步加速推動新能源領域中功率器件的國產化進程。

■N2M120013PP0產品導通特性及阻斷特性

昕感科技1200V/13mΩ SiC MOSFET產品推薦使用-3/+15V驅動柵壓，滿足IGBT應用電路中的+15V驅動要求，便于電力電子系統更新換代。同時，降低柵極電壓可以緩解柵極電應力，提升器件的可靠性。

■N2M120013PP0產品閾值電壓-溫度曲線

昕感科技通過器件結構的綜合優化設計，實現15V柵壓驅動和高閾值電壓的雙重突破。新產品在25℃室溫下閾值電壓可達3.3V，在175℃高溫下仍可達2.4V。高閾值電壓特性能夠有效降低應用中的誤開啟概率，避免應用端器件和系統失效。



昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數十款SiC器件和模塊產品量產，部分產品已通過AEC-Q101車規級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規格，模塊產品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。

昕感科技聚焦于第三代半導體SiC功率器件和功率模塊的技術突破創新和產品研發生產，致力于成為國內領先和具有國際影響力的功率半導體變革引領者。

審核編輯：劉清