解鎖芯盛智能PCIe SSD—DP2100產品技術關鍵詞

工業領域與行業領域對設備的要求較高，相關產品需要經過高低溫、濕熱、鹽霧、振動、沖擊等標準評估，同時還要求在惡劣環境下長時間穩定工作。因此，產品穩定性及產品可靠性成為工業與行業領域用戶考慮的關鍵。對工業存儲設備而言，除了采用傳統技術保證穩定性，也會使用成熟技術持續創新，進而提升產品可靠性。芯盛智能推出的工業PCIe SSD——DP2100產品系列，使用獨創的智能塊管理技術及SRAMECC技術，有效保障數據信息的安全、穩定、高效存儲，更好的服務工業領域客戶。

智能塊管理技術

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固態硬盤由控制器芯片、閃存顆粒、固件及電子元器件組成，因此，制程的演進會帶來一系列質量與可靠性方面的影響，包括讀干擾能力和數據保持能力變差、多層間指標差異變大、ECC要求變高、及量產產品批次質量波動、技術規格裕量縮小等問題?；诖?，芯盛智能在NANDXtra技術基礎上，進一步推出了智能塊管理技術(Intelligent Block Management Technology，IBMT)，優化閾值電壓，減少閃存單元的重讀次數，延長閃存顆粒的使用壽命，從而有效提升產品的穩定性與可靠性，保障用戶數據信息處于安全狀態。

閃存技術從SLC向MLC/TLC/QLC/PLC發展過程中，讀參考電壓的擋位也變得愈加密集。閃存單元在磨損、高溫、低溫等場景下，其浮柵電壓會發生一定的漂移(Shift)，導致讀操作發生錯誤；調整參考電壓并重新讀取(Read Retry)可以正確讀出數據，但是會增加完成讀操作時間，嚴重情況下，用戶甚至可以明顯感知到讀性能降低。隨著多比特存儲、器件尺寸縮小等閃存工藝制程的持續演進，此問題越來越突出，同時對壽命和可靠性等方面帶來不良影響。

一般的處理方式有，配置合理的讀閾值電壓序列，即Read Retry Table，及參考浮柵電壓漂移規律，預先修改編程充電電壓來提前補償漂移。前者會導致產品生命周期的后半段讀性能降低，后者會導致產品生命周期的前半段性能不夠高。

為解決上述問題，芯盛智能研發了智能塊管理技術(IBMT)，在使用傳統Read Retry Table基礎上，IBMT技術可以持續記錄和刷新最優閾值電壓，在整個產品生命周期內減少對閃存單元的重讀次數，從而提升性能并增強產品可靠性。

相關實驗室數據表明，對比傳統技術，IBMT技術在產品生命周期的后半段能夠最大限度的發揮優勢。除了提升性能，IBMT技術還可以明顯減少新增壞塊(UNC)，延長顆粒使用壽命，拓寬閃存產品使用溫度范圍。因此，搭載IBMT技術的DP2100產品系列，使用壽命較同類產品明顯延長，產品可靠性也得到顯著提升。

SRAM ECC技術

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工業設備長時間運行過程中，會受到多種外部因素的干擾，存儲設備SRAM的單比特翻轉就是其中之一。影響SRAM比特翻轉的最大因素是中子輻射，包括宇宙射線和高能粒子干擾。中子在入射時會引起SRAM晶體管漏極產生額外瞬態脈沖電流，電流寬度一般在皮秒(ps)級別。隨著粒子通量的增加和時間的積累，相鄰晶體管通斷狀態改變的可能性也會逐步增加，從而引起SRAM存儲單元非物理失效。

DP2100在SRAM上配置了ECC糾錯電路，可以有效攔截SRAM發生比特翻轉的問題。據相關研究數據，在非加速實時測量實驗中，未發現SRAM單字內同時出現2比特翻轉的情況，可以認為概率幾乎為0。DP2100產品系列具備單比特糾正、多比特上報的SRAM ECC能力，可以確保長時間工作數據信息存儲不出錯。

根據JESD89A中SRAM評估標準，芯盛智能使用地面散列中子源對DP2100的可靠性進行了評估測試。測試使用中子通量為106 cm-2?s-1的散列粒子束對DP2100進行反復多次照射測試，并在測試過程中對DP2100進行讀寫和校驗數據測試。測試結果表明，DP2100可以有效保護用戶數據，確保讀寫數據一致性。根據不同海拔地區的中子通量數據進行換算，DP2100在低海拔地區連續工作超過480年也不會出現比特翻轉引起的問題。

DP2100產品系列是芯盛智能面向工業領域，重新定義的創新型固態存儲解決方案。DP2100系列集多項關鍵技術于一身，滿足不同工業、行業客戶對穩定可靠、性能卓越的存儲產品的追求。另外，芯盛智能針對DP2100產品系列推出了多種定制化服務，針對客戶差異化場景，提供最優的固態存儲解決方案。

審核編輯：劉清