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合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

合科泰半導體 ? 來源:合科泰半導體 ? 2024-03-01 16:09 ? 次閱讀

一、前言

PMOS是指N型襯底、P溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管,因為PMOS是N型硅襯底,多數載流子是電子,少數載流子是空穴,源漏區的摻雜類型是P型,所以PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層。

當PMOS產品達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數值越大。本期,合科泰給大家介紹一款P溝道MOS管IRLML6402,它在穩壓器、開關電路、電源、電壓調節、智能血壓計、智能家電等上面有著廣泛的應用。

二、IRLML6402的特性

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合科泰生產的這款產品是一款低壓MOS管,它具有很好的電學特性,IRLML6402具有超低的導通電阻,該MOS管的開啟和關閉迅速,它的穩定性和可靠性非常好。它采用P溝道制作,漏源電壓-20V,柵源電壓±12V,連續漏極電流-3.7A,漏源導通電阻0.065Ω,最小柵極閾值電壓-0.4V,最大柵極閾值電壓-1.2V,耗散功率1300mW。IRLML6402導電性能優異,響應速度極快,整機重量約0.008克,非常輕巧。這些性能使得IRLML6402在MOS管驅動電路、開關電路、穩壓電路等上面具有良好的表現。

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這款產品采用了SOT-23封裝,SOT23封裝是一種非常小型表面貼裝封裝,SOT23封裝產品具有緊湊的尺寸、良好的散熱性能,堅固耐用,工作效率很高,為工程師提供了更多靈活性。它的適應性極強,在物聯網設備、電源、家電、藍牙設備、手機、平板等領域應用廣泛。SOT23封裝的尺寸很小,適用于有限空間的電路設計。IRLML6402有3個引腳,這些引腳用于連接器件的電氣機械連接。

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SOT23封裝采用SMT技術,它的引腳直接焊接到印刷電路板表面,而不需要通過孔穴。這種設計簡化了制造過程,有助于提高生產效率。散熱性能好,IRLML6402的封裝設計允許器件在封裝外部散熱,有助于降低溫度并提高器件的穩定性??傊?,IRLML6402是一款穩定、可靠的低壓MOS管,它的作用有開關、放大、穩壓調壓、電路保護等。

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三、IRLML6402的應用

合科泰的這款產品功能完善,性能強大且穩定,可以在各種MOS電路中發揮關鍵作用。IRLML6402在穩壓器、電源、智能家電、電機控制、LED照明、可穿戴設備、便攜式電子設備、光伏發電等領域有很多應用。如IRLML6402的快速開關特性使得它在MOS開關電路上有著重要的作用。IRLML6402的重要漏電流可以做到3.7A,導電阻是極低的,這樣的性能使得它能在高效工作的同時,維持較低的熱損耗,能效高,減少總體設計的系統成本。在電池管理方面,IRLML6402的使用能明顯延長電池的壽命,提高電池設備的綜合性能。

以IRLML6402在雙電源切換電路上的應用為例,在光伏發電應用上,集成電路搭建了一種嵌入式系統電源,在傳統光伏發電系統上加入了智能充電控制芯片、最大功率跟蹤、雙電源切換功能、MOS管等,最大限度地延長了蓄電池的使用壽命,極大地提高了電源供電的效率,增強了系統的穩定性。

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如上圖的雙電源切換電路包括充電電路和放電電路,充電控制電路利用光耦控制場效應管的柵極電壓,當圖示的充電控制端口的控制電平為低時,光耦TLP521-1導通,柵極電平為低,MOS管IRLML6402導通,反之則MOS管斷開,從而達到控制太陽能電池板電壓輸出的充電電壓對電池充電的效果。在放電控制電路應用上,它利用光耦控制場效應管的柵極電壓,當如圖示的放電端口的控制電平為低時,光耦導通,柵極電平為低,MOS管導通,反之MOS管斷開,從而達到控制電池輸出電壓的效果。

作為一款經典且實用的MOS管產品,IRLML6402是工程師需要詳細了解的典型產品。合科泰建議,客戶在購買IRLML6402元器件之前,需要了解自己產品的規格需求,確定您所需的IRLML6402元器件的規格,以滿足項目的要求。選擇穩定的供應商,做好品牌評估,確定供應商的IRLML6402性能以及供應狀況。作為一家專業生產MOS管產品的原廠,合科泰的IRLML6402經過了嚴格的質量控制和檢測,確保產品的穩定性和可靠性。



審核編輯:劉清

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原文標題:采用SOT-23封裝MOSIRLML6402,在電源、電機控制、LED照明上應用

文章出處:【微信號:合科泰半導體,微信公眾號:合科泰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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