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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可制得GaN。
許多廠商都提供了門驅動芯片，這些芯片是十分有價值的，允許用戶為選定的GaN器件、轉換速度和其他因素進行調節。在這些驅動芯片中，來自TI的LMG1205可...
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IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造，采用破壞性拆解，不具備復原性和可維修性，電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器防水...
氮化鎵GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產品應用
作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com） 隨著中國芯GaN產品上市，引起了大家的關注，PD產品更是多姿多彩；納微GaN產品和英諾賽科Ga...
小米55w氮化鎵充電器怎么樣？小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片
小米55W氮化鎵適配器的電源內部采用灌膠方式將導熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器整體防水性、導熱性。并且元器件沒有位移空間，起到提高耐候性，增強適配...
輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達14V，而不考慮VDD軌電壓。同時，在高側/低側的應用中，低傳播延遲和軌到軌的時鐘傾斜對效率也是至關重要...
歐盟制定了一個雄心勃勃的目標，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實現該目標，汽車行業的貢獻將非常重要。美國企業平均燃油經濟性（CAF...
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。
與普通半導體的硅材料相比，氮化鎵的帶隙更寬且導熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感，所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優勢。
接下來就直接開始拆解。 將頂面外殼拆開，PCBA模塊和外殼之間的空隙注膠填充加固。 將模塊取出，充電器采用接觸式通電設計，插腳和金屬彈片壓接。 使用游標...
重度依賴手機已經成為一種社會常態，很多人每天打開屏幕的次數不下百次。這讓無數人患上了“電量焦慮”，插上充電器的那一刻才能得以平息。雖然每天都在用充電器，...
今天我們一起學習一下關于氮化鎵龍頭企業到達有哪些呢？首先氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中...
1、氮化鎵是什么？ 是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管...
2021-07-10 標簽：氮化鎵 9.4萬 0
氮化鎵是一種新型半導體材料，它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半...
相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”...
GaN器件則以高性能特點廣泛應用于通信、國防等領域，在5G 時代需求將迎來爆發式增長。
Yole Developpement功率電子暨化合物半導體事業單位經理PierricGueguen認為，碳化硅主要適用于600V以上的高功率應用，氮化鎵...
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好...
2019-03-12 標簽：氮化鎵 3.5萬 0
如在S波段及以上，SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇，而介于兩者之間的話，主要挑戰就是平衡成本與性能，這方面做起來很難。下圖總結了三種晶體管的優缺...
集成電路產業鏈包括設計、制造和封測等關鍵步驟，其中半導體材料是集成電路上游關鍵原材料，按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。
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