資料介紹
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質,確立了其在制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。
半導體行業在摩爾定律的“魔咒”下已經狂奔了50多年,一路上挾風帶雨的,好不風光。不過隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限,摩爾定律對半導體行業的加速度已經明顯放緩。未來半導體技術的提升,除了進一步榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點“剩余價值”外,尋找硅(Si)以外新一代的半導體材料,也就成了一個重要方向。在這個過程中,氮化鎵(GaN)近年來作為一個高頻詞匯,進入了人們的視野。 · 1998年中國十大科技成果之一是合成納米氮化鎵; · 2014年3月,美國雷聲公司氮化鎵晶體管技術獲得突破,首先完成了歷史性X-波段GaN T/R模塊的驗證; · 2015年1月,富士通和美國Transphorm在會津若松量產氮化鎵功率器件;2015年3月,松下和英飛凌達成共同開發氮化鎵功率器件的協議;同月,東芝照明技術公司開發出在電源中應用氮化鎵功率元件的鹵素LED燈泡; · 2016年2月,美國否決中資收購飛利浦,有無數人猜測是美帝在阻止中國掌握第三代LED氮化鎵技術; · 2016年3月,科巴姆公司與RFHIC公司將聯合開發GaN大功率放大器模塊。 GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等前輩相比,其在特性上優勢突出。由于禁帶寬度大、導熱率高,GaN器件可在200℃以上的高溫下工作,能夠承載更高的能量密度,可靠性更高;較大禁帶寬度和絕緣破壞電場,使得器件導通電阻減少,有利與提升器件整體的能效;電子飽和速度快,以及較高的載流子遷移率,可讓器件高速地工作。
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