1、氮化鎵是什么?
是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。
氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產生紫光(405nm)激光。
2、氮化鎵跟普通充電器有什么區別
從材質來看就材質不一樣了,傳統的普通充電器,它的基礎材料是硅,氮化鎵(GaN)被稱為第三代半導體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。
氮化鎵芯片頻率遠高于硅,有效降低內部變壓器等原件體積,同時優秀的散熱性能也使內部原件排布可以更加精密,最終完美解決了充電速率和便攜性的矛盾。很明顯,氮化鎵就是我們要尋找的代替材料。
氮化鎵的成本比普通充電器更高,目前市面上的氮化鎵充電器基本上是一百多塊。
整合自:手機教授、百度百科
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