耐600℃高溫存儲器問世，有助于開發極端環境下的應用
電子發燒友網（文/吳子鵬）近日，美國賓夕法尼亞大學科學家研制出一款可在600℃高溫下持續工作60小時的存儲器。據悉，目前市場上主流的存儲器耐溫極限是200℃，一旦超過了200℃便開始失效...
2024-05-07 2012
佰維存儲蟬聯“2023年度南山區專精特新企業增加值十強”，展現高質量發展活
近日，被譽為一年一度南山企業界“奧斯卡獎”——2023年度南山區經濟突出貢獻企業TOP峰會圓滿落幕，南山區政府領導與來自各行各業的領軍企業齊聚一堂，共同見證過去一年引領行業進步，...
2024-05-06 1623
美光232層QLC NAND芯片已量產并出貨，推出SSD新品
美光科技近期宣布，其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術領域再次取得了顯著進步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導地位。...
2024-04-29 405
三星宣布量產第九代V-NAND芯片，位密度提升50%
在技術層面，第九代V-NAND無疑展現出了三星的卓越技術實力。它采用了雙重堆疊技術，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎上，再次實現了技術上的重大突破，堆疊層數飆升至驚人的290層。...
2024-04-28 461
10.7Gbps，LPDDR5X還能繼續卷性能
電子發燒友報道（文/周凱揚）隨著DRAM標準的持續推進以及AI對內存帶寬要求更高，這幾年來新發布的DRAM產品都在強調其在AI應用上的優勢，尤其是在端側AI應用上。三星于最近發布了首個10.7G...
2024-04-28 2332
江波龍：收購Lexar（雷克沙）后美國長達7年的合規義務要求已全面終止
江波龍：收購Lexar（雷克沙）后美國長達7年的合規義務要求已全面終止 近日，我國著名存儲廠商江波龍欣然宣布，于4月24日順利接收到來自美國司法部門的正式通知文件（即“終止函”）。這...
2024-04-26 315
JesFS Flash文件系統：高效管理小型控制器大數據存儲新方案
CC13xx/26xx系列處理器的Launchpad開發平臺物美價廉，配備TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以進行源代碼調試。CC13xx/26xx開發平臺配備了一片1MB的串行Flash存儲器，大小只有2mmx3mm!...
2024-04-26 212
國內首顆，精準糾錯！德明利TWSC2985系列：支持4K LDPC技術的存儲芯片
TWSC 2985 系列SD6.0存儲芯片 國內首顆支持4K LDPC糾錯技術 增強糾錯、耐久可靠、性能升級 ? 隨著移動計算和AI技術對數據存儲需求的增加，德明利憑借在閃存技術及模組自主研發領域的深厚積淀，...
2024-04-26 703
兆易創新今年Q1凈利超2023全年，NOR Flash出貨量已超212億顆
電子發燒友網報道（文/劉靜）近日，知名存儲芯片廠商兆易創新發布《2023年年度報告》以及《2024年第一季度報告》。存儲芯片行業在經歷一段時間的市場波動后，目前正處于一個關鍵時期。多...
2024-04-25 2419
余震恰逢原廠缺貨期，固態硬盤或迎新一輪漲價
今日凌晨，中國臺灣東部的花蓮縣連續發生地震，最高強度為6.3級，震源深度10公里，據中國地震臺網分析，本次地震均為4月3日臺灣花蓮縣海域發生的7.3級地震的余震。中國臺灣地區在全球半...
2024-04-23 1094
RDMA在高速網絡中的應用及其實現策略
在大型模型應用領域，要獲得最佳性能，關鍵在于精密配置，特別是當GPU與InfiniBand網卡協同工作時。這里參考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系統，它倡導了一種GPU與InfiniBand網卡一對一配對的設計理...
2024-04-22 126
AI時代的存儲墻，哪種存算方案才能打破？
回顧計算行業幾十年的歷史，芯片算力提升在幾年前，還在遵循摩爾定律?？呻S著如今摩爾定律顯著放緩，算力發展已經陷入瓶頸。而且禍不單行，陷入同樣困境的還有存儲。從新標準推進的角...
2024-04-21 2966
什么是相變存儲器？如何表征相變材料及器件電學性能？
相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(低阻)與非晶態(高阻)之間的相互轉換來實現信息的存儲和擦除，通過測...
2024-04-27 99
DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異
DDR內存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數據，從而實現雙倍數據率。這意味著在每個時鐘周期內，DDR內存能夠傳輸兩次數據，提高了數據傳輸效率。...
2024-04-27 119
企業存儲設備資源劃分之存儲基礎實驗探究
1.web訪問存儲管理頁面 2.創建硬盤域 根據業務需求調整硬盤域 3.在硬盤域之上創建存儲池，分別創建一個文件及存儲StoragePool002和塊級存儲StoragePool001...
2024-04-19 100
基于FPGA的內存128M flash芯片控制器設計方案
這款flash芯片的的存儲是一個扇區4KB，一個扇區可以存256個字，一個字是8位，一個塊是64KB，一共有256個塊組成一個存儲flash內存。...
2024-04-19 365
康盈半導體：嵌入式存儲進階，加速AI落地智能穿戴
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）近日，TechInsights可穿戴設備研究服務指出，預計2024年，全球智能手表的銷量將達到9100萬臺，同比增長5%；2025年增長率將進一步上升至近8%，到2026年將保持在7%以...
2024-04-18 973
3D DRAM進入量產倒計時，3D DRAM開發路線圖
目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行3D DRAM的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。...
2024-04-17 192
存儲技術革新之戰 閃存與內存巨頭競相突破
三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別，并計劃在今年內啟動1c nm DRAM的量產工作。...
2024-04-16 460
消息稱三星Q2供應超微HBM3E 下半年啟動大規模量產
HBM，即高帶寬內存，以其獨特的“樓房設計”概念，打破了傳統DDR內存的設計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認可。...
2024-04-15 673
三星電子即將開啟290層V9 NAND芯片量產
市場研究機構Omdia的最新預測顯示，盡管NAND閃存市場在2023年經歷了下滑，但預計今年將迎來強勁反彈，增長率高達38.1%。...
2024-04-12 599
三星/SK海力士DRAM大幅擴產，恢復至削減前水平，存儲新周期開啟
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據市場調研機構Omdia的研究報告，隨著全球需求復蘇，韓國內存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓投入，有效結束減產。 ? Omdia在報告中...
2024-04-12 4216
西部數據硬盤全線提價，AI需求激增與供應鏈緊張成漲價雙引擎
西部數據高級副總裁Scott Davis在函件中明確指出，由于市場對HDD機械硬盤和SSD固態硬盤的需求遠超預期，導致產品供應出現嚴重短缺。...
2024-04-11 496
三星與SK海力士加速移動內存堆疊技術量產
隨著人工智能在智能手機、筆記本等移動設備上的廣泛應用，端側AI已經成為行業熱議的焦點。為了支持端側運行模型的高效運行，移動DRAM的性能要求也在不斷提升。...
2024-04-10 448
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