存儲技術革新之戰 閃存與內存巨頭競相突破

在AI與大數據技術迅猛發展的時代背景下，海量的數據存儲需求如同洶涌的潮水般滾滾而來，這無疑給存儲技術帶來了空前的挑戰。存儲行業的各大廠商，如同賽場上的運動員，紛紛摩拳擦掌，全力以赴，力求在這場科技的競賽中拔得頭籌。

在閃存領域，技術的革新更是如日中天。據最新的韓媒報道，三星電子即將在本月底正式開啟其第九代V-NAND閃存的量產之旅。這一成果的取得，源于該公司早在2022年便成功推出了236層第八代V-NAND閃存。如今，他們更是將閃存堆棧結構升級至雙堆棧，使得層數一舉躍升至290層，這一技術突破無疑將推動閃存領域的發展邁向新的高度。

然而，三星并未止步于此。他們與另一行業巨頭鎧俠共同展望了更為宏偉的未來。這兩家公司計劃在未來數年內，共同研發出層數突破1000層的閃存技術。三星更是明確表示，他們力爭在2030年之前實現1000層NAND Flash的量產目標，而鎧俠也緊隨其后，計劃于2031年推出層數超過1000層的3D NAND Flash芯片。這一技術的革新，將徹底改變存儲市場的格局，為未來的數據存儲帶來無限可能。

在內存領域，各大存儲廠商同樣展現出了強烈的進取心和創新能力。美光公司率先披露，他們的DRAM顆粒已邁入1α與1β先進制程節點，而下一代1γ DRAM更是將引入EUV光刻機，并已順利完成試生產。這一技術的引入，將大幅提升DRAM的制程精度和性能表現，為內存市場注入新的活力。

與此同時，三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別，并計劃在今年內啟動1c nm DRAM的量產工作。在這一過程中，三星將采用先進的極紫外光（EUV）技術，以進一步提升芯片的性能和可靠性。此外，他們還計劃于2025年正式邁入3D DRAM時代，并已展示了垂直通道電晶體和堆疊DRAM兩項前沿的3D DRAM技術，這些技術的突破將推動內存領域的發展進入全新的階段。

SK海力士同樣在3D DRAM領域展現出了不俗的實力。他們提出了將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料的創新方案。IGZO是一種由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料，具有低待機功耗的特點，非常適用于對續航時間有較高要求的DRAM芯晶體管。通過精準調控IGZO的成分組成比，可以輕松實現其性能的優化，這一創新方案無疑將為3D DRAM的發展注入新的動力。

在這場存儲技術的競賽中，各大廠商正全力以赴，不斷推陳出新，力求在未來的科技浪潮中占據制高點。

審核編輯：黃飛