什么是HBM3E內存？Rambus HBM3E/3內存控制器內核
Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。...
2024-03-20 747
3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟
溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個存儲層之間形成導電通道，從而使電子...
2024-03-20 163
3D NAND的主要制作流程
SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據產品的不同，膜層的層數也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數。...
2024-03-19 294
工業存儲新勢力，康盈半導體助力工業數智化升級
聚焦數智工業，共襄數智盛會。3月14日，2024 CAIMRS中國自動化+數字化產業年會在杭州召開。KOWIN康盈半導體受邀參加，展示了嵌入式存儲芯片、固態硬盤、移動固態硬盤、移動存儲卡、內存條等...
2024-03-19 98
四川長虹回應幫華為代工 HBM芯片備受關注
四川長虹回應幫華為代工 HBM芯片備受關注 AI的爆發極大的推動了HBM芯片的需求；今日市場有傳聞稱四川長虹將為華為代工HBM芯片，對此傳言四川長虹回應稱，尚未收到相關消息。 “HBM”作為一...
2024-03-18 3683
JEDEC發布：GDDR7 DRAM新規范，專供顯卡與GPU使用
三星電子和SK海力士計劃在今年上半年量產下一代顯卡用內存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內存。...
2024-03-18 134
有了2D NAND，為什么要升級到3D呢？
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。...
2024-03-17 434
康盈半導體工業級eMMC嵌入式存儲芯片斬獲數字化創新獎
聚焦數智工業，共襄數智盛會。2024中國自動化+數字化產業年會于3月14日（周四），杭州遠洋凱賓斯基酒店舉辦。...
2024-03-15 449
S7-1200 CPU 存儲卡的應用分析
S7-1200 CPU 使用的存儲卡為 SD 卡，存儲卡中可以存儲用戶項目文件，有如下3種功能： 作為 CPU 的裝載存儲區，用戶項目文件可以僅存儲在卡中，CPU 中沒有項目文件，離開存儲卡無法運行。...
2024-03-15 213
集成電路ATE供應商悅芯科技存儲器芯片測試設備獲得數億元訂單！
3月14日消息，集成電路ATE供應商悅芯科技自主研發的高性能存儲器芯片自動化生產測試系統-TM8000，于近期通過國際競標獲得行業龍頭及標桿企業數億元人民幣的設備采購訂單。...
2024-03-15 425
【嵌入式SD NAND】基于FATFS/Littlefs文件系統的日志框架實現
文章目錄【嵌入式】基于FATFS/Littlefs文件系統的日志框架實現1.概述2.設計概要3.設計實現3.1初始化`init`3.2日志寫入`write`3.3日志讀取`read`3.4注銷`deinit`3.5全部代碼匯總4.測試5.總結1.概述那么在移植...
2024-03-14 752
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。...
2024-03-14 299
華為新型磁電存儲設備引領市場，磁光電存儲概念股迎春風
在巴塞羅那舉辦的2024年世界移動通信大會上，華為數據存儲產品線總裁周躍峰博士詳細介紹了即將面世的OceanStorArctic磁電存儲產品。...
2024-03-14 1711
大算力時代，關于內存墻的應對方法
以Transformer架構為基礎的AI大模型導致了模型參數量激增，短短兩年間模型大小擴大了驚人的410倍，運算量更是激增了高達750倍。...
2024-03-14 85
HBM：突破AI算力內存瓶頸，技術迭代引領高性能存儲新紀元
HBM制造集成前道工藝與先進封裝，TSV、EMC、鍵合工藝是關鍵。HBM制造的關鍵在于TSV DRAM，以及每層TSV DRAM之間的連接方式。...
2024-03-14 209
受困于良率？三星否認HBM芯片生產采用MR-MUF工藝
? 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）據報道，三星電子在半導體制造領域再次邁出重要步伐，計劃增加“MUF”芯片制造技術，用于生產HBM（高帶寬內存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關于...
2024-03-14 2830
2024年中國存儲芯片產業鏈圖譜研究分析
存儲芯片，是嵌入式系統芯片的概念在存儲行業的具體應用。受到大模型時代的高算力、大存儲的現實需求推動，各大企業加大存儲芯片產能擴張力度。...
2024-03-13 1015
得瑞領新D6000系列躋身北京新技術新產品名單，彰顯卓越技術實力
近日，得瑞領新D6000系列入選北京市新技術新產品名單，繼獲評國家“專精特新”小巨人后再次躋身政府官方科技榜單，印證了其在科技創新領域的領先地位以及不斷努力為客戶提供優秀解決方...
2024-03-13 290
從兩會看AI產業飛躍，HBM需求預示存儲芯片新機遇
高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成為主流趨勢。這表明，HBM芯片的需求在未來一段時間內繼續保持旺盛，也將為相關企業提供了重要的機遇。...
2024-03-12 470
下一季度，DDR3將開始面臨供給吃緊
DDR5內存相對于DDR4有更高的內部時鐘速度和數據傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。...
2024-03-12 188
華為推出的磁電存儲設備“OceanStor Arctic”或顛覆存儲器格局！
近日，中國華為公司數據存儲產品線總裁周躍峰博士在巴塞羅那世界移動通信大會上介紹了即將推出的磁電存儲設備“OceanStor Arctic”。...
2024-03-11 1410
i.MXRTxxx里FLEXSPI_MCR0寄存器保留位會造成IP CMD讀寫異常？
痞子衡最近需要在恩智浦無線系列 SoC（RW612）上調試串行 NAND Flash 驅動，簡單理解這顆芯片其實就是 RT600 + 多模無線 SIP 到一起，但是其 MCU 部分對 RT600 做了精簡以及魔改。...
2024-03-11 898
佰維存儲正式簽約TES英雄聯盟戰隊，共逐電競巔峰！
近日， 佰維存儲與TES滔搏電子競技俱樂部英雄聯盟分部正式簽約 ，成為TES英雄聯盟分部官方唯一指定存儲品牌。 ? ? 佰維存儲秉持“ 存儲賦能萬物智聯 ”的使命，深耕智能終端存儲、消費級...
2024-03-08 162
晶振在SSD中的重要性，一篇文章讓你秒懂！
固態硬盤（SSD）已經成為現代計算機存儲的主流設備。相比于傳統的機械硬盤，SSD具有更高的讀寫速度、更低的功耗以及更高的耐用性，當然封裝尺寸也在往小型化的發展。隨著SSD容量的不斷增...
2024-03-07 846
AI引領存儲市場變革 HBM與DDR5需求暴增
AI成了存儲市場的最大增量。開源證券表示，搭載容量方面，隨著AI在各類領域的應用延伸，手機、服務器、PC中DRAM和NAND單機平均搭載容量均有增長，其中，服務器領域增長幅度最高，ServerDRA...
2024-03-06 219
IBM推出AI增強的數據彈性功能，打造更安全存儲解決方案
在新一代 IBM Storage FlashSystem 產品中發布新的 AI 增強版 IBM FlashCore 模塊技術，以及新版 IBM Storage Defender 軟件，幫助組織提高其檢測和響應勒索軟件及其他網絡攻擊的能力。...
2024-03-05 864
MCU制程工藝邁進28nm時代，汽車行業的創新之路
瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術開發出具有快速讀寫能力的測試芯片。該MCU 測試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲單元陣列。...
2024-03-05 500
美光量產行業領先的HBM3E解決方案，加速人工智能發展
2024 年 3?月 4?日全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬內存解決方案。英偉達 H200 Tensor ...
2024-03-04 825
淺析RAM存儲器內部結構圖
在計算機中，CPU需要定期地從 RAM 存儲器中讀取數據和指令。隨著計算機應用程序的不斷發展，RAM 存儲器的容量和速度不斷提高，以適應計算機系統的需要。...
2024-03-04 905
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