三星與SK海力士加速移動內存堆疊技術量產

在移動設備市場中，對內存帶寬的需求日益增長，促使三星電子和SK海力士兩大巨頭積極探索移動DRAM堆疊封裝技術的創新應用。這一努力旨在大幅提升移動設備的內存性能，滿足市場對于更快、更高效的移動設備的需求。

隨著人工智能在智能手機、筆記本等移動設備上的廣泛應用，端側AI已經成為行業熱議的焦點。為了支持端側運行模型的高效運行，移動DRAM的性能要求也在不斷提升。在這樣的背景下，三星電子和SK海力士開始研究并應用堆疊芯片技術，將其視為在HBM內存領域的一種具有潛力的解決方案。

然而，傳統的HBM連接方案如TSV并不適用于移動DRAM芯片，因為這些芯片往往尺寸較小。此外，HBM的高制造成本和低良率也限制了其在高產能移動DRAM市場的廣泛應用。因此，三星電子和SK海力士決定另辟蹊徑，采用一種創新的封裝技術——垂直布線扇出技術（VFO）。

VFO技術為移動DRAM芯片堆疊難題提供了有效的解決方案。它結合了FOWLP和DRAM堆疊兩項技術的優勢，通過垂直連接顯著縮短了電信號在多層DRAM間的傳輸路徑，從而提高了能效。SK海力士透露，其去年中期的VFO技術驗證樣品在導線長度上僅為傳統布線產品的四分之一，能效提升了4.9%。雖然散熱量有所增加，但封裝厚度減少了27%，為移動設備的設計提供了更多靈活性。

與此同時，三星也推出了采用類似技術的產品——LLW DRAM。這款產品不僅實現了低延遲和高達128GB/s的帶寬性能，而且能耗僅為1.2 pJ / b，充分展示了VFO技術的優勢。據悉，三星計劃于明年下半年實現LLW DRAM的量產，而SK海力士的相關產品也已進入量產準備階段。

業內專家普遍認為，采用VFO技術的產品有望繼HBM之后成為下一個AI內存熱點。這些產品的推出將為移動設備市場帶來新的發展機遇，推動移動設備的性能提升和創新。

審核編輯：黃飛