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存儲技術

提供全球最前沿存儲技術,云存儲技術、快速存儲技術、虛擬存儲技術、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術等存儲技術新聞、產品信息及技術熱點。

美光科技擬上調產品報價,漲幅預計突破20%

就在幾天前的4月3日,臺灣花蓮縣海域遭受了一場7.3級的強烈地震,并伴隨著多次余震,給當地帶來了嚴重的破壞。...

2024-04-10 標簽:閃存DRAMNAND半導體行業 485

存儲市場再遇供應短缺困境,SSD價格強勢上漲引關注

在消費級SSD市場,價格也呈現上漲趨勢,批發價較前一季度上漲了約10%至12%。盡管面對漲價要求,大多數買家表示接受,但也有人對此提出了警告。...

2024-04-09 標簽:SSD固態硬盤存儲設備Nand flash三星 525

關于同步FIFO和異步FIFO的基礎知識總結

關于同步FIFO和異步FIFO的基礎知識總結

FIFO是一種先進先出數據緩存器,它與普通存儲器的區別是沒有外部讀寫地址線,使用起來非常簡單,缺點是只能順序讀寫,而不能隨機讀寫。...

2024-04-09 標簽:數據傳輸EDA工具二進制計數器FIFO存儲 698

存算一體架構的優勢及分類

存算一體架構的優勢及分類

存內計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新,讓存儲器本身就具有計算能力。...

2024-04-09 標簽:芯片DRAM邏輯電路存儲器存算一體 402

先進工藝下的SRAM功耗和性能挑戰

隨著AI設計對內部存儲器訪問的要求越來越高,SRAM在工藝節點遷移中進一步增加功耗已成為一個的問題。...

2024-04-09 標簽:CMOSDRAMsram數據中心人工智能 182

如何打造超越英偉達性能的GPU

如何打造超越英偉達性能的GPU

PHY 是一種物理網絡傳輸設備,它將交換芯片、網絡接口或計算引擎上或內部的任何數量的其他類型的接口鏈接到物理介質(銅線、光纖、無線電信號),而物理介質又連接它們相互之間或網絡...

2024-04-08 標簽:DRAMgpu內存網絡傳輸英偉達 574

如何打破內存限制融合HBM與DDR5創新

正如我們在最初涉足Celestial的產品戰略時所討論的那樣,該公司的零件分為三大類:小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺積電CoWoS的光學旋轉,稱為OMIB。...

2024-04-08 標簽:芯片交換機HBMDDR5 172

韓國研究團隊開發新型超低功耗存儲設備

韓國研究團隊開發新型超低功耗存儲設備

DRAM是最常用的存儲器之一,速度非???,但具有易失性特性,當電源關閉時,數據會消失。NAND閃存是一種存儲設備,讀/寫速度相對較慢,但它具有非易失性特性,即使在電源被切斷時也能保存...

2024-04-08 標簽:閃存DRAMNAND存儲器 128

存儲芯片大反彈,三星一季度利潤暴漲近10倍

存儲芯片大反彈,三星一季度利潤暴漲近10倍

電子發燒友網報道(文/黃山明)近日,三星電子公布了其2024年第一季度的財報預估數據,顯示利潤有大幅增長,漲幅近10倍。巨大漲幅的原因主要在于半導體價格,尤其是存儲芯片價格的大反...

2024-04-08 標簽:存儲芯片三星 3104

英韌科技:無AI不存儲,國產PCIe 5.0主控率先發力

英韌科技:無AI不存儲,國產PCIe 5.0主控率先發力

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)在最近舉行的2024中國閃存市場峰會期間,英韌科技重磅發布消費級PCIe 5.0主控方案YRS820,這是其第九款量產主控。而在去年底,英韌宣布量產企業級PCIe 5.0主控。...

2024-04-07 標簽:存儲AIPCIe英韌科技PCIe5.0AIPCIePCIe5.0存儲英韌科技 848

耐寬溫、高可靠、高性價比,佰維存儲TGP200系列工規級SSD賦能工業應用

耐寬溫、高可靠、高性價比,佰維存儲TGP200系列工規級SSD賦能工業應用

工業設備通常在高低溫、異常斷電、震動、沖擊、臟污等環境下運行,存儲器作為設備的數據中樞,要求支持寬溫工作、高度抗振抗沖擊、掉電保護以及強電磁兼容性等,以確保嚴苛環境下數據...

2024-04-03 標簽:佰維存儲 282

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總

電子發燒友原創 章鷹 ? 4月1日,韓國股市開盤后,存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%,市值已超過 1,000 億美元,受益于投資者持續買入AI相關股票,由于市場對于SK海力士高帶寬內存(HBM)的需...

2024-04-06 標簽:存儲芯片HBMpcleHBM3E 4012

三星企業級SSD計劃漲價,需求激增推動市場格局

這一價格調整的背后,實際上反映出市場需求“遠超預期”的現實情況。...

2024-04-03 標簽:SSDNAND閃存固態硬盤三星 742

如何利用憶阻器技術改變高精度的科學計算

當組織成縱橫陣列時,這種憶阻電路通過以大規模并行方式使用物理定律進行模擬計算,從而大大加速矩陣運算,這是神經網絡中最常用但非常耗電的計算。...

2024-04-03 標簽:電阻器神經網絡憶阻器存算一體 136

長江存儲QLC閃存壽命實現重大突破

長江存儲QLC閃存壽命實現重大突破

根據官方介紹,長江存儲X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同時讀取、寫入速度都有著接近100%的提升。...

2024-04-03 標簽:閃存SSDPCIe長江存儲qlc 213

一文解析NAND的閃存接口ONFI

一文解析NAND的閃存接口ONFI

ONFI 由100多家制造、設計或使用 NAND 閃存的公司組成的行業工作組,其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費電子產品、計算平臺以及其他需要大容量固態存儲...

2024-04-03 標簽:控制器NAND閃存芯片NAND控制器控制器閃存接口閃存芯片 891

江波龍企業級SSD再度通過OpenCloudOS兼容性認證,產品力獲認可

江波龍企業級SSD再度通過OpenCloudOS兼容性認證,產品力獲認可

近日,江波龍旗下企業級存儲產品 FORESEE UNCIA 3836系列企業級SATA SSD 產品完成與 OpenCloudOS/TencentOS相互兼容認證 。測試認證期間整體運行穩定,在功能、性能及兼容性方面表現良好。 ? 自研高能...

2024-04-03 標簽:江波龍 105

DDR SDRAM和SDRAM功能及結構差異

DDR SDRAM和SDRAM功能及結構差異

在計算機運算速度發展的過程中,需要提高內存的讀寫速率,只能通過提高時鐘頻率來提高SDRAM的讀寫速率。由于溫度等因素的影響,SDRAM的內核時鐘頻率受限,無法進一步提升。...

2024-04-06 標簽:SDRAM寄存器接收器時鐘信號DDR SDRAMSDRAM寄存器接收器時鐘信號 234

三星半導體再度沖擊行業第一寶座?

內存由 DRAM 和 NAND 產品組成,對于自 1993 年以來成為全球最大內存制造商的三星來說,最為重要。雖然該公司始終只公布 DS 部門的盈利,但內存業務是其最重要的部門,占整個公司的營收比重...

2024-04-02 標簽:DRAMNAND存儲器存儲芯片三星 153

三星大幅削減NAND產量至50%以下,市場供應或將受影響

三星大幅削減NAND產量至50%以下,市場供應或將受影響

該報告援引“業內人士”的話說,三星從去年年底開始縮減NAND產能,現在才開始向下游市場滲透。三星也不回避自己的戰略,一位發言人表示:“我們減少NAND產能的態度沒有改變。...

2024-04-02 標簽:芯片NANDSK海力士三星 165

鎧俠:PCIe Gen5 SSD襲卷2024年,閃存技術創新,加速生成式AI落地

鎧俠:PCIe Gen5 SSD襲卷2024年,閃存技術創新,加速生成式AI落地

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)生成式AI是最近行業最火的話題,作為存儲芯片國際大廠的鎧俠,對于閃存在生成式AI時代的技術和應用有著前瞻的理解和舉措。與此同時,鎧俠也一直引領著...

2024-04-02 標簽:閃存SSDAIPCIe鎧俠生成式AI 7693

工業級存儲:工業應用的關鍵要素與挑戰解析

工業級存儲:工業應用的關鍵要素與挑戰解析

工業級存儲的廣泛應用范圍涵蓋了工業PLC、工業HMI、工業網關、電力數據采集器、電力通訊管理器、工業控制、能源電力、軌道交通、電力DTU、運動控制器等多個領域,并在這些領域中扮演著至...

2024-04-01 標簽:風力發電機工業控制存儲芯片 180

超快移動固態硬盤是什么極速體驗?

如果選擇常規的 USB?C 接口,那么速度將限制在 1000MB/s 左右。例如體驗期間同時使用了 MacBook?Pro?16 (M1?Pro,2021) 進行測試,英睿達 X10?Pro 的順序讀取速度在 900MB/s,寫入速度在 850MB/s,性能...

2024-04-01 標簽:usb移動硬盤固態硬盤usb固態硬盤移動硬盤英睿達 101

一文看懂從DDR1到DDR5的主要區別和特點

DDR內存技術自問世以來,已經經歷了多代的迭代和優化。每一代DDR內存都在性能、容量、功耗和功能上有所提升。...

2024-04-01 標簽:SDRAMDDR隨機存取存儲器 692

一文解析DARM工藝流程

一文解析DARM工藝流程

DRAM(動態隨機存取存儲器)的工藝流程包括多個關鍵步驟。...

2024-04-05 標簽:電容晶圓存儲單元光刻光刻存儲單元晶圓晶圓制備電容 505

以信任為基,圍繞AI,美光推動存儲革命

以信任為基,圍繞AI,美光推動存儲革命

電子發燒友網報道(文/黃山明)在數字化轉型的浪潮中,人工智能(AI)已成為推動社會進步的關鍵力量。作為全球領先的內存和存儲解決方案提供商,美光正以其深厚的技術積累和創新精神,...

2024-04-01 標簽:存儲AI美光 563

群聯電子:Home Computing助力平民化生成式AI

群聯電子:Home Computing助力平民化生成式AI

生成式AI帶動以HBM為代表的內存產業興盛起來,那么閃存如何助力生成式AI應用的普及。群聯電子在去年整個存儲市場景氣度不足的情況下,依然大幅投入研發費用(約占去年營收的22%),并前...

2024-03-29 標簽:閃存UFS群聯電子生成式AIUFS生成式AI群聯電子閃存 1557

存儲芯片是什么樣存儲信息的

存儲芯片是什么樣存儲信息的

在存儲信息時,對于動態存儲器,行地址首先將RAS鎖存于芯片中,然后列地址將CAS鎖存于芯片中,當WE有效時,寫入數據則被存儲于指定的單元中。...

2024-03-29 標簽:集成電路DRAM半導體存儲器存儲芯片隨機存取存儲器 809

高盛談HBM四年十倍市場 人工智能驅動HBM市場騰飛

在市場競爭方面,高盛認為,由于HBM市場供不應求的情況將持續存在,業內主要玩家如SK海力士、三星和美光等將從中受益。...

2024-03-29 標簽:DRAM高盛人工智能HBM三星 1357

慧榮科技:閃存主控芯片主動式創新,迎生成式AI高增長

慧榮科技:閃存主控芯片主動式創新,迎生成式AI高增長

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)2023年底慧榮科技進行組織架構調整,以適應不斷增長的全球業務。該公司決定成立兩大新的事業群:Client Display Interface Solution(ESDI)事業群。CAS事業群將負責消...

2024-03-29 標簽:閃存AI慧榮科技生成式AIAI慧榮科技生成式AI閃存 4890

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