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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。

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氮化鎵資訊

國星光電聚焦SiC及GaN創新應用持續發力

近日，國星光電作為A級單位參編發布的《2023碳化硅（SiC）產業調研白皮書》和《2023氮化鎵（GaN）產業調研白皮書》在行家說2023碳化硅&...

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金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領域研究進展

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領域具有廣闊的應用前景。

2023-12-19 標簽：晶體管氮化鎵偏置電壓 535 0

霍爾元件的工作原理及其在低速測量中的應用

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2023-12-15 標簽：氮化鎵 GaN 砷化鎵 368 0

氮化鎵助力快充小型化，聚合物鉭電容大顯身手

高功率快充在近幾年成為了充電市場的當紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。通過選用高功率體積小的氮化鎵芯片，搭...

2023-12-18 標簽：鉭電容氮化鎵快充 281 0

2025年全球Micro LED市場規模將達35億美元

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2023-12-15 標簽：半導體 LED技術 LED芯片 809 0

意法半導體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...

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英特爾發力具有集成驅動器的氮化鎵GaN器件

在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設備。

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蘇州長光華芯化合物半導體光電子平臺新建項目奠基儀式啟動

據悉，本項目計劃在2025年實現竣工并投入運營。它是省級重點項目，旨在建立高端的化合物半導體光電子研發制造平臺，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...

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炬芯科技助力Nothing子品牌CMF首秀

先前，Nothing Phone憑借著透明后蓋機身+LED燈帶設計，引起廣泛熱議吸引了不少的熱度。

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?GaN半導體技術及其在電子領域的前景

當前各種氮化鎵技術正在加速向200mm過渡，以期降低生產成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導體技術在混合型和全電動汽車、消費電子產品、智能手機以及其他產品的制造...

2023-12-11 標簽：電動汽車半導體晶體管 966 0

羅姆、東芝聯合宣布將共同生產功率半導體

羅姆、東芝近日聯合宣布，雙方將于功率半導體事業進行合作，共同生產功率半導體。

2023-12-11 標簽：晶圓 SiC 氮化鎵 444 0

基于深氮化鎵蝕刻的微米尺寸光子器件的研制

GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子...

2023-12-11 標簽：氮化鎵蝕刻光子器件 253 0

晶湛半導體完成數億元C+輪融資

據晶湛半導體消息，晶湛半導體業界公認的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創業。國際先進的氮化鎵外延材料開發和產業化基地

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基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設備與工藝技術

第三代半導體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、良好的化學穩定性等特點，被業內譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件...

2023-12-09 標簽：半導體功率器件氮化鎵 1113 0

Si基GaN器件及系統研究與產業前景

氮化鎵具有優異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。

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氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資

近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數億元融資以來的又一融資進展。

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增強型功率氮化鎵器件結構設計進展

作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高，以及抗輻射能力強等優勢。

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納微半導體全速助力蔚來手機，GaNFast?氮化鎵快充提升車手互聯用戶體驗

為支撐如此強大且齊全的功能，蔚來給這款手機配備了一顆5,200mAh的大容量電池，隨手機標配的GaNFast氮化鎵快速充電器，可為該手機提供最大66W的...

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碳化硅和氮化鎵的區別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬...

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