氮化鎵助力快充小型化，聚合物鉭電容大顯身手
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
通過選用高功率體積小的氮化鎵芯片，搭配高能量密度和小體積的阻容感，使充電器擁有了超小體積。
氮化鎵（GaN）是氮和鎵的化合物。相比傳統硅基半導體，有著更出色的擊穿能力，更高的電子密度和電子遷移率，還有更高的工作溫度。
小型化趨勢
小米GaN充電器采用2顆KEMET聚合物鉭電容（100uF/ 25V）并聯使用作為輸出濾波。與傳統使用的鋁電解電容相比，輸出更加穩定且體積能夠減小75%。
在空間不受限的情況下，也可以使用聚合物鋁電解電容，KEMET同樣可以提供此類產品。
案例比較
KEMET產品在充電頭中的應用
除了用作輸出濾波的聚合物鉭電容和聚合物鋁電解電容，在輸入端，基美也可以提供安規薄膜電容和安規陶瓷電容。此外，在輸出端的整流濾波上可以選用KEMET X7R貼片陶瓷電容。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
鉭電容
+關注
關注
7文章
198瀏覽量
36365 -
氮化鎵
+關注
關注
53文章
1523瀏覽量
115142 -
快充
+關注
關注
10文章
763瀏覽量
32212
發布評論請先 登錄
相關推薦
電力產品，你真的足夠了解嗎？
近期，TE Connectivity（以下簡稱“TE”）參與了某沿海地區的線路改造項目，我們的瑞侃 (Raychem) APKJ 中壓熱縮中間接頭和 APKT 中壓熱縮電纜終端再次在這個項目中“大顯身手”。
PL5353A SOT23-5 單電池鋰離子/聚合物電池保護集成電路
一般說明
PL5353A產品是鋰硫離子/聚合物電池保護的高集成解決方案。
PL5353A包含先進的功率MOSFET，高精度電壓檢測電路和延遲電路。
PL5353A被放入超小型SOT23-5封裝中
發表于 11-07 10:23
T597系列小型化車規級聚合物鉭電容：ADAS小型化要求解決方案
1999年，基美(KEMET)面向市場推出了第一批聚合物鉭電容，自那時起，基美(KEMET)在尺寸，容值，電壓和最高工作溫度等各個溫度不斷的擴充該產品的陣容。 在這個不斷擴充的趨勢中，T597 系列
氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？
降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點，可以簡化設計，降低GaN快充的開發難度，有助于實現小體積、高效氮化鎵
發表于 08-21 17:06
KEMET T599系列車規聚合物鉭電容在汽車設計中的應用說明
聚合物鉭電容是由陽極(鉭，Ta）、介質層（五氧化二鉭，Ta2O5）和負極（固態聚合物，碳層和銀層）構成的電容器。它的結構和材料造就了該類型電容
KEMET T597系列小型化車規級聚合物鉭電容：ADAS 小型化要求解決方案
1999年，基美（KEMET）面向市場推出了第一批聚合物鉭電容，自那時起，基美（KEMET）在尺寸，容值，電壓和最高工作溫度等各個溫度不斷的擴充該產品的陣容。 在這個不斷擴充的趨勢中，T597 系列
有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念
，由于氮化鎵開關快，它可在更高的頻率和更高效的條件下工作，從而減少所需的相數，從五相的MOSFET系統改為四相的氮化鎵系統，其體積縮小35%
發表于 06-25 14:17
拆解報告：橙果65W 2C1A氮化鎵充電器
INN3365C使用。
貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應用于氮化鎵快充這類高密度電源產品中。
發表于 06-16 14:05
為什么氮化鎵比硅更好？
。
在器件層面，根據實際情況而言，歸一化導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優值系數，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化
發表于 06-15 15:53
氮化鎵: 歷史與未來
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合
發表于 06-15 15:50
什么是氮化鎵（GaN）？
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，
發表于 06-15 15:41
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現更高的效率？
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成
發表于 06-15 15:35
氮化鎵功率芯片的優勢
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
發表于 06-15 15:32
什么是氮化鎵功率芯片？
電源和信號，一直是業界無法實現的。因為硅器件的開關速度太慢，而且存在驅動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉換器/隔離器，導致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
發表于 06-15 14:17
工商網監
評論