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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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2月20日消息，據外媒報道，當地時間周一，美國政府表示，作為美國《芯片與科學法案》的一部分，它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金，用于支持該公司擴大...
韓國晶圓代工廠DB HiTek發放20%獎金，繼續加大電力半導體技術投資力度
盡管東晶圓的2023年銷售與運營利潤雙雙大幅縮水，分別相較去年減少了31%和65%，但仍堅持向員工發放高額獎金，鼓勵團隊士氣。在半導體領域高端人才爭奪日...
東科推出合封氮化鎵全鏈路解決方案，覆蓋QR、ACF、AHB等多種拓撲架構
前言傳統的氮化鎵快充方案包括控制器+驅動器+GaN功率器件等，電路設計復雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實現原有數顆芯片的功能，不僅使...
納微半導體，作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業領導者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯合打造的新型研發實驗室正式揭牌。這一創新合作旨在推動電動汽車電源...
截至2023年，1200V碳化硅器件累計出貨超過了2400萬顆，得到了新能源汽車、消費電子以及工業市場的客戶好評。其中SiC MOSFET營收迅速提升，...
近日，美國一家GaN企業宣布破產倒閉，該企業還有一個晶圓廠，總投資超過10億人民幣，而且該企業此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅，倒閉原因是什么？
基于PI InnoSwitch3-AQ INN3949CQ 之 60W 于800Vdc Bus with 50-1000Vdc Input方案
PowerIntegrations(NASDAQ：POWI)這家節能型功率轉換領域的高壓積體電路(IC)的領導廠商今日宣布為該公司的InnoSwitch...
該文獻進一步透露，實現這一器件所采用的氮化鎵外延材料結構包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質結結構。
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）氮化鎵功率器件的大規模應用，是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及，經過數年的發展，氮化鎵HEMT器件早已被...
瑞薩電子近日宣布了一項重大收購，以每股5.10美元的價格收購美國氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm。這次收購總額為3.39億美元，相當...
第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁...
據云塔科技消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃“戰略性科技創新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異...
大聯大推出基于InnoGaN產品的1KW DCDC電源模塊方案
2024年1月18日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ...
電子發燒友網報道（文/黃山明）隨著智能家居的發展，高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小，但同時能夠保證最好的性能，氮化鎵（Ga...
全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（T...
瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm宣布，雙方已達成最終收購協議。根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Trans...
GaN巨頭NexGen Power Systems破產：垂直GaN市場面臨挑戰
NexGen認為，將垂直氮化鎵逆變器驅動系統引入電動汽車市場可以幫助汽車制造商提高續航里程、減輕重量并提高系統可靠性。
此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術，從而將其業務范圍擴大到電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電力轉換等快速增長的市場。
近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上
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