中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬禁帶半導體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設計,實(shí)現最新的生態(tài)設計目標。
意法半導體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅動(dòng)器、系統保護功能,以及在啟動(dòng)時(shí)為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅動(dòng)開(kāi)發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝,提高了可靠性,減少了物料成本,簡(jiǎn)化了電路布局。
這兩款新器件內置兩個(gè)連接成半橋的GaN HEMT晶體管,這種配置適合開(kāi)發(fā)采用有源箝位反激式轉換器、有源箝位正激式轉換器或諧振式轉換器拓撲的開(kāi)關(guān)式電源、適配器和充電器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分別與MasterGaN1和MasterGaN3引腳兼容。與早期的產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品重新優(yōu)化了導通時(shí)間,支持更高的開(kāi)關(guān)頻率,在低負載的情況取得更高的能效,能效提高在諧振拓撲中尤為明顯。
輸入引腳接受3.3V至15V的信號電壓,輸入滯后和下拉電阻有助于輸入直連控制器,例如,微控制器、DSP信號處理器或霍爾效應傳感器。專(zhuān)用關(guān)斷引腳有助于設計者節省系統功率,兩個(gè)GaN HEMT晶體管的時(shí)序匹配精準,集成一個(gè)互鎖保護電路,防止橋臂上的開(kāi)關(guān)管交叉導通。
MasterGaN1L
MasterGaN1L HEMT的導通電阻RDS(on)為150m?,額定電流為10A,適合最高功率500W的應用??蛰d功耗只有20mW,支持高轉換效率,使設計者能夠滿(mǎn)足行業(yè)嚴格的待機功耗和平均能效目標。
MasterGaN4L
MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的應用,導通電阻RDS(on)為225m?,額定電流為6.5A。
EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板現已上市,有助于開(kāi)發(fā)者評估每款產(chǎn)品的功能。這兩塊板子集成一個(gè)針對LLC應用優(yōu)化的GaN半橋功率模組,方便開(kāi)發(fā)者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速創(chuàng )建新的拓撲結構,而無(wú)需使用完整的PCB設計。
這兩款器件均已量產(chǎn),采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝。
審核編輯:劉清
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原文標題:意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價(jià)值
文章出處:【微信號:STM_IPGChina,微信公眾號:意法半導體PDSA】歡迎添加關(guān)注!文章轉載請注明出處。
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