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標簽 > 導通電阻
導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數。
理想的PN結在正向導通后應該是沒有電阻的,而實際的PN結比如二極管受材料、工藝的影響,在導通時實際上兩端還有一個電阻,這個電阻一般在幾歐到幾十歐之間,被稱為導通電阻。導通電阻可由二極管;兩端電壓和導通電流求得。
導通電阻是二極管的重要參數,它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法...
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設備的帶電)而導致的柵極破壞
AD5423和ADG5401F相互配合的精密模擬輸出模塊方案
工業過程需要對執行器進行精準而穩健的控制,以便管理流量、溫度和壓力等過程參數。精密模擬輸出模塊,即所謂可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(DCS...
CS5525/CS5526 A/D轉換器針對熱電偶測量優化設計
CS5525 / CS5526 A / D轉換器針對熱電偶的測量進行了優化。它設計為具有單個模擬輸入,但包括四個數字輸出引腳,用于控制模擬開關和多路復用器。
DIBL不僅只發生在亞閾值區,引起閾值電壓的下降。在飽和區晶體管導通后,由于勢壘的降低,同樣會引入更多的載流子注入,從而降低晶體管的導通電阻。
類別:IC datasheet pdf 2012-06-25 標簽:導通電阻MAX14634雙向電池開關
dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對系統來說,過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過該變化速率通過系統電路...
導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么? 傳統模擬開關的結構如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成,可使正負信號傳輸,如果將不同VI
在高溫下,溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的,在接近最高結溫時,溫度系數會讓這些MOSFET變得...
數字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發展到7nm、3nm、2nm,這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結構,溝...
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業電源實現最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業電源、充電...
揚杰科技發布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開關和導通特性
產品特點 1、優異的開關特性和導通特性; 2、更好的導通電阻溫度特性,顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進的封裝技術,SGT ...
Vishay推出全球領先的汽車級80V P溝道MOSFET,以提高系統能效和功率密度
汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節省能源,同時增...
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