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導通電阻

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　　導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比，是二極管的重要參數。

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導通電阻技術

SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

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2024-05-29 標簽：MOSFET 導通電阻 SiC 218 0

常用的MOS做電源開關的電路分享

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2024-04-25 標簽：電機控制導通電阻電源開關 773 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

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淺析IGBT成為熱門的技術原因及應用

近年IGBT這個專業名詞非常的熱。電子、半導體、汽車、能源、電力、控制系統等行業，好像都涉及到了這個名詞。

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如何給電路選擇最合適的MOS產品？選擇MOS管時需考慮的關鍵要素

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如何看懂MOS管的每一個參數

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MOS管和IGBT管到底有什么區別

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場效應管是如何導通的場效應管導通和截止的條件

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什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。這是因為，為了應對全球共通的“節...

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附錄一芯片量產測試常用“黑話”

CP是wafer level的chip probing，是整個wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些...

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高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但...

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