電子發燒友App
NMOS晶體管線性區導通電阻詳解
- 電流(129633)
- NMOS(33650)
- 電壓(114263)
- 導通電阻(19563)
- 晶體管(134509)
相關推薦
電力雙極型晶體管(GTR)詳解
電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應用中卻工作在開關狀態，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關斷，是典型的自關斷器件。
2011-01-22 11:57:57
26635
26635
如何使用MOS晶體管研究NMOS零增益放大器原理
Ω和68 Ω電阻串聯） ●? ? ?一個小信號NMOS晶體管（增強模式CD4007或ZVN2110A） 說明 圖1給出了NMOS零增益放大器的原理圖。 圖1
2021-01-24 12:16:382786
2786
NMOS管的原理介紹及結構
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。
2023-02-21 17:35:148860
8860
NMOS晶體管線性區漏源電流詳解
之前的文章對MOS電容器進行了簡單介紹，因此對MOS晶體管的理解已經打下了一定的基礎，本文將對深入介紹NMOS晶體管的結構及工作原理，最后再從機理上對漏源電流的表達式進行推導說明。
2023-04-17 12:01:583744
3744
四種晶體管開關電路詳解
“晶體管開關”，是使用晶體管控制電路通斷的開關。根據實際應用場景，也稱“模擬開關(analog Switch)”或“邏輯開關(Logic Switch)”。它或許是一些電子發燒友們DIY時遇到的第一個電路。本文將展示四種晶體管開關電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。
2023-06-12 09:29:002031
2031
晶體管詳解
級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統
2010-08-12 13:57:39
晶體管Ⅴbe擴散現象是什么？
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管可以作為開關使用！
用?；鶚O電壓源通過電阻提供基極電流為了使晶體管成為電子開關工作，需要提供一個電壓源，并將其通過電阻與基極相連接。如果要使開關導通，基極電壓源通過電阻向晶體管的基極提供足夠大的電流IB就可以使得晶體管導
2017-03-28 15:54:24
晶體管和場效應管的本質問題理解
的變化。
1、當柵極電壓未達到門檻電壓時，漏源之間基本處于關斷狀態，即使漏源之間加上電壓漏電流也很小。
2、當柵極電壓達到門檻電壓時，導電溝道開始出現，場效應管進入線性區，漏源之間電阻開始減小，此時漏源
2024-01-18 16:34:45
晶體管場效應管的·輸入輸出電阻是怎么求解的·？
的正負極短接，此時的輸出電阻是不是等于源極電阻和源漏導通電阻？
在求解輸入輸出電阻的問題上，為什么要將供電電源的正負極短接？這個問題困惑已久，尤其是在含有晶體管這種分立器件或者含有運方放的電路上。
2024-01-15 18:06:15
晶體管如何表示0和1
，PMOS指的是P型MOSFET。注意，MOS中的柵極Gate可以類比為晶體管中的b極，由它的電壓來控制整個MOS管的導通和截止狀態?！ ?b class="flag-6" style="color: red">NMOS電路符號如下圖： PMOS電路符號如下
2021-01-13 16:23:43
晶體管工作原理
硬之城,晶體管這個詞僅是對所有以半導體材料為基礎的元件的統稱，那么問題來了，晶體管有哪些類型，其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管，英文名稱為transistor，泛指一切以半導體材料為
2016-06-29 18:04:43
晶體管性能的檢測
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管溫控電路圖
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時吸合電路。剛接通電源時，16μF電容上電壓為零，兩個三極管都截止，繼電器不動作。隨著16μF電容的充電，過一段時間后，其上電壓達到高電平，兩個三極管都導通，繼電器延時吸合。延時時間可達60s。延時的時間長短可通過10MΩ電阻來調節。
2008-11-07 20:36:15
晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻
題庫來源：特種作業?？碱}庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
晶體管的分類與特征
不同的是，用于放大或導通/關斷的偏置電流會流經晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
晶體管的分類與特征
，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說表達順序反了，不過近年來，特別是電源電路中
2018-11-28 14:29:28
晶體管的基極分壓電阻一般選用K歐姆級別的電阻阻值，原因是什么？理論依據來源于哪里？
對于晶體管放大電路，比如常用的共射放大電路，一般基極會有兩個分壓電阻，用來控制給基極一個合適的電平，保證晶體管的基極能導通，這兩個分壓電阻的阻值一般選用的都是K歐姆級別的阻值，原因是什么？ 理論依據是？謝謝！
2020-06-08 17:23:20
晶體管的由來
計算機等使用的數字信號中，晶體管起著切換0和1的開關作用。IC及LSI歸根結底是晶體管的集合，其作用的基礎便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數字晶體管
2019-05-05 00:52:40
晶體管的飽和狀態和飽和壓降
）。對這兩個PN結所施加不同的電位，就會使晶體管工作于不同的狀態：兩個PN結都反偏——晶體管截止；兩個PN結都導通——晶體管飽和：一個PN結正偏，一個PN結反偏——晶體管放大電路（注意：如果晶體管的發射結反
2012-02-13 01:14:04
晶體管驅動電路的問題？
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2，直接驅動MOSFET管Q2，達到提高導
2018-07-09 10:27:34
詳解MOS管驅動電路
詳解MOS管驅動電路在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀
2017-08-15 21:05:01
IGBT絕緣柵雙極晶體管
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-05-06 05:00:17
IGBT絕緣柵雙極晶體管的基本結構與特點
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-03-27 06:20:04
MOSFET驅動及工作區的問題分析
的飽和程度變化產生溝道電阻變化，對于整個導通電阻的占比的影響大，特別是VGS相差比較大的時候，對于導通電阻的影響非常明顯，如下圖所示。（2）恒流區被稱為飽和區、線性區，當VGS一定的時候，溝道對應
2016-12-21 11:39:07
MOS管導通電阻問題
我在網上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現行放大區的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管的基本原理和功能
的比例關系。2）偏置電路 當晶體管用于實際的放大電路時，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先，由于晶體管的BE結（相當于二極管）的非線性，輸入電壓達到一定水平后必須產生基極電流（對于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
NPN型和PNP型晶體管的工作狀態解析
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時，c和e之間沒有電流流動，三極管處于截止狀態。在圖（b）中，當正電壓輸入到NPN晶體管的b時，e的N區的負電子被b中P區的正電子吸引。 由于發電廠的作用，它們沖向（擴散
2023-02-15 18:13:01
PNP晶體管的工作原理，如何識別PNP晶體管
提供電荷載流子。為了提供大量的電荷載流子，與基極相比，發射器不斷正向偏置?；A晶體管的基極是中間的部分，通過兩個PN結連接發射極和集電極。由于基極-發射極結是正向偏置的，因此發射極電路具有低電阻。由于
2023-02-03 09:44:48
SAR ADC RC濾波器，請問輸入開關導通電阻為何能忽略？
忽略輸入開關的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較
繼前篇內容，繼續進行各功率晶體管的比較。本篇比較結構和特征。功率晶體管的結構與特征比較下圖是各功率晶體管的結構、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
VGS在線性區，功率MOSFET反向導通的問題
電壓。導通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻，和上述的線性區工作狀態并不相同。功率MOSFET的內部二極管導通的反向工作狀態，因為其S、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒有線性區的過程，也就
2017-04-06 14:57:20
三極管與場效應晶體管，誰才是電子行業的領頭羊？
的NMOS管和PMOS管，其中增強型的NMOS管更加常用，因為NMOS的導通電阻小并且容易制造，在開關電源和馬達驅動的應用中，一般采用NMOS，主要原因是NMOS的導通電阻小并且容易制造，另外在MOS管內
2019-04-08 13:46:25
不同類型的晶體管及其功能
結型晶體管 (BJT) 的評估中，HBT 在發射極注入效率、基極電阻、基極-發射極電容和截止頻率方面表現出更好的表現。它們還具有良好的線性度、低相位噪聲和高功率附加效率。HBT 可用于盈利且高可靠性
2023-08-02 12:26:53
什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數
有兩種主要類型：結型場效應管（JFET）和金屬氧化物半導體場效應管（MOS-FET）。與BJT不同，FET僅由一個載流子組成，因此也稱為單極晶體管。屬于壓控半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低
2023-02-03 09:36:05
什么是接地導通電阻測試儀？
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
什么是達林頓晶體管？
的輸入阻抗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常遵循與單個晶體管相同的設計規則，但有一些限制。它需要更高的基極發射極電壓才能導通，通常是單個晶體管的兩倍。它的關斷時間要長得多，因為輸出晶體管基極電流不能主動關斷。通過在輸出晶體管
2023-02-16 18:19:11
使用BC547晶體管構建一個簡單的觸摸傳感器電路
這個晶體管需要我們用 5mA 的電流為基極供電。偏置晶體管允許最多 100mA 的電流流過發射極和集電極。晶體管可以在飽和區和截止區工作。晶體管有兩種應用，可以用作開關和放大器。在我們的項目中，我們將使
2022-08-30 07:23:58
使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源
ADALM2000主動學習模塊無焊面包板一個2.2 kΩ電阻（或其他類似值）一個168 Ω電阻（將100 Ω和68 Ω電阻串聯）一個4.7 kΩ電阻兩個小信號NMOS晶體管（CD4007或ZVN2110A
2021-11-01 09:53:18
關于晶體管電路設計（下）一書中部分章節的疑惑
晶體管導通？采用達林頓管的電燈開關電路10k的電阻有什么用呢？是用來提供偏置電流嗎？射極跟隨器型開關電路設計中可以去掉輸入端限流電阻的原因是什么？書本上只是說基極電流必須是負載電路的1/hfe，不怎么懂
2016-04-27 22:50:34
功率晶體管（GTR）的特性
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）的特性
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
四種常用晶體管開關電路（2種NMOS，2種PMOS）
的第一個電路。 本文將展示四種晶體管開關電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設計過程中，有時需要“獨立”控制幾個開關的通與斷。例如構造某種波形。晶體管開關能夠實現一些開關的通與斷不會
2016-08-30 01:01:44
在特殊類型晶體管的時候如何分析？
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導通，則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
基本晶體管開關電路，使用晶體管開關的關鍵要點
電流，進而改變流過給定晶體管的集電極電流?！ ∪绻覀冞_到集電極電流的最大流量，則晶體管已飽和。將晶體管導通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數字邏輯晶體管開關 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
如何改善晶體管的損耗
~3.3nf。當Nb上端產生一個正的驅動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩態
2020-11-26 17:28:49
開關的導通電阻對傳遞函數的影響
的導通電阻對傳遞函數的影響此前的傳遞函數推導中，并沒有考慮過開關（開關晶體管）導通電阻的影響。但是眾所周知，實際上是肯定存在開關的導通電阻的，而且對實際運行也是有影響的。所以本次將探討“開關的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
數字晶體管的原理
的開關動作關于數字晶體管的用語選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
數字晶體管的原理
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式?！鰯底?b class="flag-6" style="color: red">晶體管
2019-04-22 05:39:52
有什么方法可以提高晶體管的開關速度呢？
1、使用加速電容在基極限流電阻并聯小容量的電容（一般pF級別），當輸入信號上升、下降時候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在晶體管由導通狀態變化到截止狀態時能夠迅速從基極抽取電子（因為電子
2023-02-09 15:48:33
概述晶體管
（電阻器）組成。構成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質。因此，晶體管也俗稱"石"，設計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好？
存在傳導損耗，這與晶體管的導通電阻RDS（on）有關。在狀態5時，驅動信號VGSL變低，晶體管的通道通過硬開關關閉。由于峰值勵磁電流Ilm_pk，存在電流和電壓交交叉開關損耗。該損耗取決于晶體管的特性
2023-02-27 09:37:29
淺析NMOS和PMOS詳解以及電路設計
一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2021-11-11 06:28:29
淺析降低高壓MOS管導通電阻的原理與方法
電場的高壓MOS管的剖面結構及高阻斷電壓低導通電阻的示意圖如圖所示?！ ∨c常規MOS管結構不同，內建橫向電場的MOS管嵌入垂直P區將垂直導電區域的N區夾在中間，使MOS管關斷時，垂直的P與N之間建立
2018-11-01 15:01:12
海飛樂技術現貨替換IXFA72N20X3場效應管
Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V Id-連續漏極電流: 72 A Rds On-漏源導通電阻: 20 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓
2020-03-10 17:30:59
程控單結晶體管的原理及特性
PUT的負阻特性出現在A-K之間。改變PUT的門極電位UG，即可調節峰點電壓UP，也即可以用UG來調節一個等效的單結晶體管的η、IP和IV等參數，因此十分方便。在PUT的基本電路中，通過串聯電阻，將R1上的分壓加在G-K之間。當UA UR1時，A-K間導通，負載RL上才有較大的電流。
2018-01-22 15:23:21
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的工作原理、特點及參數介紹
個寄生的晶體管，當IC大到一定程度，寄生晶體管導通，柵極失去控制作用。此時，漏電流增大，造成功耗急劇增加，器件損壞。安全工作區隨著開關速度增加將減小。 （6）柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
絕緣門/雙極性晶體管介紹與特性
“ OFF”，從而允許它用于各種開關應用。它也可以驅動在其線性有源區用于功率放大器。由于其較低的導通電阻和傳導損耗，以及在高頻段切換高電壓而不損壞的能力，使得絕緣柵雙極性晶體管成為驅動感性負載的理想選擇，如
2022-04-29 10:55:25
請問NMOS管的最小和最大導通電壓？
比如3205的NMOS的Vgs門檻電壓是min 2v-----max4v的范圍。我不太理解，究竟是最小工作電壓是2V，滿負荷工作電壓是4V呢，還是說因為工藝問題，某些管子的導通電壓是2V，而某些管子的導通電壓是4V？
2019-05-28 01:46:49
請問MOS管是如何仿真在不同頻率點的導通電阻嗎？
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
資深工程師談晶體管使用心得：用晶體管來實現功率負載的控制
，其實是晶體管的基極和發射極之間的導通電壓維持在0.6V左右。Q3的導通真的消除了Q2的基極激勵了嗎？好像并沒有，對不對?！這個“過流”保護電路的關鍵就是晶體管的基極和發射極之間的導通電壓，為了簡單分析
2016-06-03 18:29:59
這種高密度工藝特別適合于 最小化導通電阻
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
防止開關晶體管損壞的措施
，充電電壓接近VCC。當晶體管導通時，C再經過電阻R放電。通過RCD阻尼電路吸收了一定的功率，從而減輕了開關管的負擔。充放電型RCD吸收電路損耗較大，不太適合較高頻率場合下的應用?！ ?、放電阻塞型RCD
2020-11-26 17:26:39
降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法
。當然晶閘管是兩個雙極型晶體管的組 合，又加上因大面積帶來的大電容，所以其dv/dt能力是較為脆弱的。對di/dt來說，它還存在一個導通區的擴展問題，所以也帶來相當嚴格的限制?！ 」β蔒OSFET
2023-02-27 11:52:38
隧穿場效應晶體管是什么_隧穿場效應晶體管的介紹
是溝道區，n+區是漏區。對于p型TFET來說，p+區是漏區，i區是溝道區，n+區是源區。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場效應晶體管是什么----隧穿場效應晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
晶體管h參數,晶體管h參數是什么意思
晶體管h參數,晶體管h參數是什么意思
在合理設置靜態工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:225745
5745NMOS與PMOS晶體管開關電路
。 本文將展示四種晶體管開關電路，其中2種使用NMOS，2種使用PMOS。 在電路設計過程中，有時需要獨立控制幾個開關的通與斷。例如構造某種波形。晶體管開關能夠實現一些開關的通與斷不會影響其他開關的通與斷，即開關之間相互獨立，相互無關。常在人機交互場景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3023364
23364
ULN2803L低導通電阻NMOS驅動電路中文手冊
ULN2803L是為低電壓下工作的系統而設 計的八通道低導通電阻NMOS驅動電路。
特性 ? 0.5A 輸出電流（單路輸出） ? 工作電壓范圍 2.0-7.0V ? CPC20和SOP18封裝
2022-12-19 14:14:02
12
12基于模型的GAN PA設計基礎知識：GAN晶體管S參數、線性穩定性分析與電阻穩定性
基于模型的 GAN PA 設計基礎知識：GAN 晶體管 S 參數、線性穩定性分析與電阻穩定性
2022-12-26 10:16:211645
1645
nmos晶體管的工作原理/功能特性/電路圖
NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導體晶體管，其中N指的是n型半導體材料，它具有負極性，可以用來控制電流的流動。它的主要功能是在電路中控制電流的流動，以及控制電路的輸入和輸出信號。
2023-02-11 16:09:0511838
11838
NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783
9783
nmos晶體管的電流方程 nmos晶體管飽和伏安特性方程
nMOS晶體管導通是通過溝道里面的電子產生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動，我們取電流的方向和電子流動的方向相反，所以電流是漏極流到源極。
2023-02-11 16:41:541979
1979
晶體管和晶閘管區別
晶體管可以用來放大電信號，可以用來做電子開關；晶閘管也可以用來做電子開關，但不能用來放大信號，它用來做開關比晶體管好，因為它的導通電阻比晶體管的低，能通大電流；
2023-05-16 14:57:511050
1050
工商網監
評論