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標簽 > 導通電阻
導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數。
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士蘭微電子車規級MOS產品獲CIAS2024年度“最具市場力產品獎”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導體新能源創新發展大會暨 CIAShow功率半導體、裝備與材料創新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦,士蘭微...
碳化硅MOSFET能讓新能源汽車充電速度提高5-10倍,續航里程提高8%以上,能耗降低50%,優異的性能讓其成為新能源汽車所需的關鍵元器件。
瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證
3月8日,瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。
Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增...
近日,昕感科技在新能源領域取得重大突破,推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品(N2M120007PP0)。該產品的導通電阻...
英飛凌科技推出集成溫度傳感器全新CoolMOS S7T產品系列
SSR是各種電子設備的基本配置,如果能夠將傳感器和超結 MOSFET集成到同一封裝中,客戶便可以獲得多方面的好處。
艾為電子推出超低導通電阻的雙通道單刀雙擲模擬開關-AW35321QNR
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關。0.5Ω(典型值)超低導通電阻以及只需要單電源供電即可支持負擺幅信號的特性使其非常適合應用于...
ROHM100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現業界超低導通電阻
近年來,在通信基站和工業設備領域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V和24V系統逐漸被轉換為48V系統,電源電壓呈提高趨勢。此外,用來冷卻這些設備的...
ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET,實現業界超低導通電阻
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應 用,開發出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙...
在電力設備的長時間運行過程中,連接處有可能因受潮等因素影響,出現節點銹蝕、甚至斷裂等現象,導致接地引下線與主接地網連接點電阻增大,從而不能滿足電力規程的...
Vishay推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術實現優異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 ...
近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設計。
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊,可為 DC/DC 轉換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。
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